國家存儲器基地項目開工 中芯國際（新）(00981)等港股或受益

近日，我國最大的單體投資項目——國家存儲器基地項目，在武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)正式動工建設。該項目總投資約1600億元，主要生產(chǎn)存儲器芯片，計劃將于2020年全部建成，預計年產(chǎn)值將超過100億美元，創(chuàng)下我國集成電路存儲芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)模化發(fā)展“零”的突破。

此次開工的國家存儲器基地項目將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、一座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，其核心生產(chǎn)廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。

據(jù)了解，存儲器是信息系統(tǒng)的基礎核心芯片，占據(jù)整個半導體產(chǎn)業(yè)的約四分之一，是半導體產(chǎn)業(yè)支柱。但是，存儲器芯片市場卻長期被美日韓壟斷，尤其以韓國三星、SKHynix兩家為首，共占據(jù)了DRAM市場和NANDFLASH市場70%和50%的市場份額。

國家存儲器基地項目建成后不僅有望打破存儲器芯片市場的壟斷格局，還將帶動國內(nèi)設計、封裝、制造、應用等芯片產(chǎn)業(yè)相關(guān)環(huán)節(jié)的發(fā)展，為行業(yè)發(fā)展起到推動作用。智通財經(jīng)了解到，目前港股市場上相關(guān)概念股有中芯國際（新）(00981)等股票。

但是值得注意的是，美國或?qū)⒊鍪肿钄_中國的半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。據(jù)華爾街日報網(wǎng)站報道，美國總統(tǒng)奧巴馬的首席科學顧問將于本月奧巴馬離任前公布最后一份研究報告，報告稱為國家安全著想，將建議美國海外投資委員會(CFIUS)限制中方在美國國內(nèi)半導體行業(yè)的投資，以保護半導體行業(yè)。

美國政府將半導體行業(yè)視為國家最關(guān)鍵的行業(yè)之一，因為它生產(chǎn)的芯片驅(qū)動著智能手機、導彈、衛(wèi)星和能源網(wǎng)絡等關(guān)鍵領(lǐng)域。美國官員擔心中國可能會通過資本滲入影響到美國的通信和軍事武器系統(tǒng)。