功率半導(dǎo)體，國(guó)產(chǎn)替代的核心賽道

本文來(lái)自微信公眾號(hào)“ 樂(lè)晴智庫(kù)精選”。

據(jù)悉，目前包括華微電子等眾多國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體廠(chǎng)商均已進(jìn)入華為供應(yīng)鏈。而且，作為全球5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)的主要參與者，華為、中興（00763）針對(duì)國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體的采購(gòu)量也與日俱增。

功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心。

功率半導(dǎo)體器件種類(lèi)眾多，按集成度可分為功率IC、功率模塊和功率分立器件三大類(lèi)，其中功率分立器件中MOSFET、功率二極管、IGBT占比分別為35%、31%、25%，是最主要的品類(lèi)。

根據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院報(bào)告顯示，2016至2020年，全球MOSFET市場(chǎng)規(guī)模從57億美元增長(zhǎng)至64億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率3.06%。

iHS預(yù)測(cè)，MOSFET和IGBT是2020-2025年增長(zhǎng)最強(qiáng)勁的半導(dǎo)體功率器件。

MOSFET全稱(chēng)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，是一種可以廣泛使用在模擬與數(shù)字電路的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

MOSFET具有高頻、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單、抗擊穿性好等特點(diǎn)，應(yīng)用范圍涵蓋電源管理、計(jì)算機(jī)及外設(shè)設(shè)備、通信、消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、工業(yè)控制等多個(gè)領(lǐng)域。中國(guó)是全球最大的功率器件消費(fèi)國(guó)，中國(guó)MOSFET市場(chǎng)規(guī)模約26.4億美元。

IGBT是新能源汽車(chē)電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件，成本占到新能源汽車(chē)整車(chē)成本的10%，占充電樁成本的20%。由于未來(lái)幾年新能源汽車(chē)/充電樁等新興市場(chǎng)的快速發(fā)展，IGBT等半導(dǎo)體功率器件將迎來(lái)黃金發(fā)展期。

縱觀(guān)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)體量更大，增長(zhǎng)更快，但國(guó)產(chǎn)化率低，且MOSFET、IGBT等中高端芯片高度依賴(lài)進(jìn)口，多處于產(chǎn)業(yè)鏈中下游，行業(yè)國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊。

功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游原材料層面，與整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相似，晶圓供應(yīng)商在上游產(chǎn)業(yè)鏈中仍占據(jù)較大話(huà)語(yǔ)權(quán)。

生產(chǎn)廠(chǎng)商層面，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體廠(chǎng)商基本為IDM模式，即具備從設(shè)計(jì)、制造到封裝測(cè)試完整生產(chǎn)鏈。

下游應(yīng)用層面，功率IC多用于電源管理芯片，進(jìn)而應(yīng)用于消費(fèi)電子、家用電器、電源設(shè)備等;功率模組多用于新能源汽車(chē)、智能電網(wǎng)、軌道交通等各傳統(tǒng)和新興產(chǎn)業(yè)中的DC/AC逆變器、整流器、驅(qū)動(dòng)控制電路方面。

隨著汽車(chē)電子化和數(shù)字化持續(xù)推進(jìn)，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中汽車(chē)領(lǐng)域占比提升至35.4%，工業(yè)、消費(fèi)電子領(lǐng)域分別占比26.8%和13.2%。

全球功率半導(dǎo)體龍頭企業(yè)幾乎均為IDM，如英飛凌、安森美、羅姆等，他們擁有自己的晶圓廠(chǎng)、芯片制造廠(chǎng)、封裝廠(chǎng)。

邏輯、存儲(chǔ)等芯片的發(fā)展是沿著摩爾定律不斷地縮減制程，從而提高性能與產(chǎn)量，但由于芯片制造環(huán)節(jié)需要投入大量的資源和技術(shù)，很多廠(chǎng)商無(wú)法承擔(dān)如此高的成本，所以就形成了臺(tái)積電、聯(lián)電、中芯國(guó)際等代工廠(chǎng)。

中國(guó)臺(tái)灣廠(chǎng)商因以代工起家，在技術(shù)和營(yíng)銷(xiāo)手段不及歐美日大廠(chǎng)，市占率僅占10%。

根據(jù)IHS的統(tǒng)計(jì)，全球功率半導(dǎo)體前10大廠(chǎng)商占據(jù)了全球市場(chǎng)的60%，其中英飛凌占比18.5%排名第一，第二位安森美占比9.2%，第三為意法半導(dǎo)體，占比5.3%。

中金公司研究認(rèn)為，從收入規(guī)模來(lái)看，無(wú)論是包括電源管理IC與否，中國(guó)企業(yè)還未能與海外前十大功率半導(dǎo)體廠(chǎng)商構(gòu)成競(jìng)爭(zhēng)。

細(xì)分領(lǐng)域來(lái)看，目前國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)僅在二極管、晶閘管領(lǐng)域開(kāi)始廣泛替代，而在MOSFET、IGBT與國(guó)外企業(yè)存在較大差距。

根據(jù)iHS數(shù)據(jù)，國(guó)內(nèi)MOSFET器件僅英飛凌、安森美兩家企業(yè)就占據(jù)45.3%的市場(chǎng)份額，前五廠(chǎng)商中僅有華潤(rùn)微一家中國(guó)公司(若不計(jì)入安世半導(dǎo)體份額)。

7月29日，華潤(rùn)微發(fā)布2020年半年度業(yè)績(jī)報(bào)告。據(jù)半年報(bào)顯示，2020年上半年公司業(yè)績(jī)保持穩(wěn)定增長(zhǎng)，實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入30.63億元，較上年同比增長(zhǎng)16.03%;歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)4.03億元，較上年同期增長(zhǎng)145.27%;歸母扣非凈利潤(rùn)3.45億元，較上年同期增長(zhǎng)466.46%。

從毛利率來(lái)看，頭部廠(chǎng)商安世半導(dǎo)體、華潤(rùn)微電子的功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)毛利率落后英飛凌公司水平毛利率1.8ppts/3.8ppts，而士蘭微、華微電子等國(guó)內(nèi)收入規(guī)模領(lǐng)先企業(yè)毛利率與英飛凌仍存在較大差距。

IGBT方面，全球前十大IGBT模塊供應(yīng)商占據(jù)77.7%的份額，當(dāng)中僅有斯達(dá)半導(dǎo)一家國(guó)內(nèi)企業(yè)進(jìn)入排名，占據(jù)2%的市場(chǎng)份額。根據(jù)ASMC披露，我國(guó)90%以上IGBT產(chǎn)品需要進(jìn)口。

圖表來(lái)源：中金公司

近幾年隨著國(guó)內(nèi)電子行業(yè)的崛起，智能手機(jī)、平板電腦、汽車(chē)電子、工業(yè)控制、儀器儀表以及智能家居等物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)快速發(fā)展，已在全球市場(chǎng)占據(jù)領(lǐng)先地位，同時(shí)對(duì)各類(lèi)半導(dǎo)體產(chǎn)品需求不斷增長(zhǎng)。

iHS預(yù)計(jì)未來(lái)中國(guó)功率半導(dǎo)體將繼續(xù)保持較高速度增長(zhǎng)，2021年市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到159億美元，年化增速達(dá)4.8%。

未來(lái)，隨著國(guó)內(nèi)企業(yè)逐步突破行業(yè)高端產(chǎn)品的技術(shù)瓶頸，我國(guó)半導(dǎo)體分立器件對(duì)進(jìn)口的依賴(lài)將會(huì)進(jìn)一步減弱，進(jìn)口替代效應(yīng)將顯著增強(qiáng)。伴隨新興行業(yè)快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模呈增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。

在“新基建”與國(guó)產(chǎn)替代的加持下，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體以及功率半導(dǎo)體廠(chǎng)商有望迎來(lái)巨大的發(fā)展機(jī)遇。

（編輯：玉景）