中芯國際(00981)回復上交所問詢函：預計第二代14nm技術性能提高約20%，功耗降低約60%

智通財經APP獲悉，6月7日晚間，中芯國際(00981)在上交所披露首輪審核問詢函的回復。在本次回復中，中芯國際對外透露了不少重要信息，其中包括外界最為關注的公司14nm及下一代制程產品的具體信息。

14納米技術有營收純晶圓廠僅余3家

招股書披露，中芯國際是全球領先的集成電路晶圓代工企業(yè)之一，主要為客戶提供0.35微米至14納米多種技術節(jié)點、不同工藝平臺的集成電路晶圓代工及配套服務。本次公司擬發(fā)行不超過16.86億股新股，預計募資200億元人民幣，計劃分別投入中芯南方正在進行的12英寸芯片SN1項目(80億元)，先進及成熟工藝研發(fā)項目儲備資金(40億元)，補充流動資金(80億元)。

據悉，“12英寸芯片SN1項目”是中國大陸第一條14納米及以下先進工藝生產線，規(guī)劃月產能為3.5萬片，目前已建成月產能6000片。

上交所在問詢函中提出，結合發(fā)行人14nm線寬技術晚于競爭對手的量產時間、發(fā)行人14nm制程產品的市場份額、盈利水平及性價比等情況，補充披露發(fā)行人14nm制程產品的競爭優(yōu)劣勢，以及發(fā)行人是否存在提高14nm制程產品競爭水平的有效措施等。

對此，中芯國際表示，在集成電路晶圓代工領域內，全球范圍內有技術能力提供14納米技術節(jié)點的純晶圓代工廠有4家，而目前有實際營收的純晶圓代工廠僅剩3家。根據各公司的公開信息整理，臺積電(TSM.US)于2015年實現16納米制程晶圓代工的量產，格羅方德于2015年實現14納米制程晶圓代工的量產，聯華電子于2017年實現14納米制程晶圓代工的量產。公司14納米制程的集成電路晶圓代工業(yè)務于2019年開始量產。

據介紹，目前14納米及以下更先進制程在手機應用處理器、基帶芯片、加密貨幣和高性能計算等追求高性能、低能耗、高集成度的領域內已逐漸成為主流技術。根據IHS統計預測，14納米及以下更先進制程的集成電路晶圓代工市場將保持快速增長，預計2024年全球市場規(guī)模將達386億美元，2018年至2024年的復合增長率將達19%。

中芯國際14納米晶圓代工產能初步開始布建，因此占全球市場的份額相對較低;公司表示，第一代14納米FinFET技術已進入量產階段，技術處于國際領先水平，且具有一定性價比，目前已同眾多客戶開展合作，預測產能利用率可以穩(wěn)定保持在較高水平。

關于14nm制程產品目前所處的生產階段，計劃何時大規(guī)模量產，量產后是否需要投入大量設備及研發(fā)支出問題。中芯國際表示，目前，公司14納米制程已于2019年第二季度進入風險量產階段，第四季度進入量產階段并開始貢獻有意義的營收，目前處于產能和產量穩(wěn)步爬升階段。公司將根據市場及客戶需求情況，穩(wěn)健、有計劃地推進14納米制程的產能擴張。隨著產能的持續(xù)擴張，預計未來將持續(xù)投入相應的研發(fā)及設備支出。

第二代FinFET技術功耗降低約60%

關于下一代制程的情況，中芯國際指出，在下一代技術節(jié)點的開發(fā)上，全球純晶圓代工廠僅剩臺積電和中芯國際。隨著公司不斷加大研發(fā)投入、豐富研發(fā)團隊、加強研發(fā)實力、增強客戶合作，公司正不斷縮短與臺積電之間的技術差距。公司第二代FinFET技術目前已進入客戶導入階段。利用公司先進FinFET技術在晶圓上所制成的芯片已應用于智能手機領域。

中芯國際還披露了外界頗為關注的下一代FinFET技術相關性能和功耗水平。數據顯示，與第一代FinFET技術中的14nm相比較，公司預計第二代FinFET技術有望在性能上提高約20%，功耗降低約60%。14納米及以下先進工藝主要應用于5G、人工智能、智能駕駛、高速運算等新興領域，未來發(fā)展前景廣闊。隨著相關應用領域持續(xù)發(fā)展，先進工藝的市場需求將持續(xù)上升，市場份額將不斷擴大，成為集成電路晶圓代工市場新的增長點。

同時，公司對募集資金投資項目的風險進行了補充披露：12英寸芯片SN1項目的總投資額為90.59億元美元，其中生產設備購置及安裝費達733016萬美元。SN1項目達產后將會貢獻額外的先進制程收入，但同時帶來較高的折舊成本壓力。隨著14納米及下一代制程的產線投產、擴產，公司一定時期內會面臨較大的折舊壓力，該部分業(yè)務毛利率可能會低于公司平均水平，存在經濟效益不達預期，甚至產生較大額度虧損的風險。

據了解，此前中芯南方與中芯控股、大基金一期、大基金二期、上海集成電路基金一期及上海集成電路基金二期簽訂新合資合同及新增擴股協議。根據新協議約定，中芯南方的投資總額調整為90.59億美元，注冊資本調整為65億美元，各股東方需在原已完成出資的35億美元注冊資本基礎之上增資30億美元。公司認為，中芯南方本次增資完成后，發(fā)行人可以在大基金二期、上海集成電路基金二期的支持下，加快引進先進的制造工藝和產品，亦可減輕因先進制程產能擴充而產生的巨額現金投資。

此外，中芯國際還對研發(fā)費用率遠高于同行業(yè)可比公司的原因及合理性進行了說明。數據顯示，2019年臺積電、中芯國際、聯華電子、華虹半導體(01347)研發(fā)費用分別為211億元、47億元、27億元及4億元，相應占營收比重分別為9%、22%、8%和7%。

中芯國際闡述，為加強在先進制程方面的技術實力，公司不斷加大先進制程的研發(fā)投入，相繼實現了28納米HKC+工藝及第一代14納米FinFET工藝的研發(fā)和量產，第二代FinFET工藝的研發(fā)也在穩(wěn)健進行中，并不斷拓展成熟工藝應用平臺，因此公司研發(fā)費用率高于可比上市公司。

子公司虧損或對公司凈利潤產生較大影響

上交所在問詢函中提出，招股說明書披露，發(fā)行人重要子公司中芯深圳、中芯北方、中芯南方等處于虧損狀態(tài)，中芯控股、芯電上海、SMICBVI等部分子公司凈資產為負值。請發(fā)行人結合重要子公司的虧損情況，披露該等子公司持續(xù)經營風險及對發(fā)行人的影響。請發(fā)行人說明：主要子公司的資產負債結構及償債能力，部分子公司凈資產為負值的原因，是否存在債務履約風險，是否影響其持續(xù)經營能力。

中芯國際表示，重要子公司中芯南方、中芯北方及中芯深圳報告期各期均形成虧損，主要系資本支出大，折舊政策較為謹慎等因素所致。未來，隨著中芯南方等重要子公司的在建工程項目陸續(xù)達到預定可使用狀態(tài)，并轉入固定資產，一定時期內會面臨較大的折舊壓力，可能導致中芯南方等子公司扣非后凈利潤下滑，甚至出現扣非后凈利潤產生較大虧損的風險，可能會對發(fā)行人扣非后歸母凈利潤產生較大影響?！?/p>

截至2019年12月31日，中芯上海、中芯北京、中芯天津、中芯深圳、中芯北方、中芯南方系公司集成電路制造業(yè)務重要的經營主體，形成一定的生產銷售規(guī)?；虺袚诵募夹g研發(fā)，屬于重要控股子公司。

加大研發(fā)投入 2019年政府補助收益大幅增加

中芯國際在招股說明書披露，2017-2019年，其獲得政府補助分別為102,370.18萬元、110,664.73萬元及203,926.91萬元，均計入其他收益，其中與資產相關的政府補助分別為38,935.36萬元、45,456.63萬元及72,219.25萬元，與收益相關的政府補助分別為63,434.83萬元、65,208.11萬元及131,707.65萬元。

上交所在問詢函中提出，讓中芯國際說明2019年政府補助收益大幅增加的原因及合理性。

中芯國際表示，2019年政府補助收益大幅增加，主要是因為2019年公司加大了對于先進制程研發(fā)的投入，得到了各級政府的進一步支持。一方面直接計入當期損益的財政獎勵金增加了約22,828.69萬元，另一方面，分攤計入其他收益的政府補助增加了約72,655.76萬元。發(fā)行人于2019年分攤計入其他收益的政府補助項目主要有28納米強化技術開發(fā)及14nm及下一代技術平臺建設與晶圓制造、14nmFinFET工藝研發(fā)項目、基于28nm技術平臺的特色工藝開發(fā)與晶圓生產項目等項目。