中芯國際(00981)N+1（7納米）整裝待發(fā)，量產(chǎn)在即

本文來自微信公眾號(hào)“芯思想”，作者：趙元闖。

先進(jìn)工藝都是客戶逼出來的，這話看來真沒錯(cuò)。

中芯國際(00981)宣布在2020年底將量產(chǎn)N+1(7納米)，成本較目前市場上7納米低10%。這是繼2019年第四季度量產(chǎn)14納米后，中芯國際的技術(shù)研發(fā)的再一次重大突破。

透過中芯國際2019年第四季財(cái)報(bào)可以看到，14納米貢獻(xiàn)當(dāng)季營收的1%，表明第一代FinFET制程已經(jīng)開始小批量出貨。

按照晶圓代工的工藝規(guī)劃，每代工藝節(jié)點(diǎn)至少有兩種以上制程，預(yù)估中芯國際的14納米和N+1都起碼有兩種技術(shù)制程，分別應(yīng)用于低功耗和高性能。目前NTO客戶包括高端消費(fèi)電子芯片、高速運(yùn)算芯片、智能手機(jī)AP和基帶芯片、AI芯片、汽車應(yīng)用芯片等。

在第二代FinFET制程N(yùn)+1方面，2019 年第四季進(jìn)入NTO(New Tape-out)階段，目前正處于客戶產(chǎn)品認(rèn)證期，預(yù)計(jì)2020年第四季可以看到小量產(chǎn)出。

梁孟松在業(yè)績說明會(huì)上表示，N+1與中芯國際14納米制程比較，效能增加20%、功耗減少57%、邏輯面積減少63%、SoC 面積減少55%。

從上表來看，中芯國際N+1和目前市場上的7納米相比，指標(biāo)方面非常相似，唯一的區(qū)別在于性能提升，N+1有20%的提升，而友商宣稱有30%的提升。如此看來，N+1應(yīng)該位于10納米和7納米之間，不過現(xiàn)在這年頭，工藝節(jié)點(diǎn)到底怎么分，誰也說不清。

在業(yè)績說明會(huì)上，中芯國際公布了14納米制程產(chǎn)能的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，產(chǎn)能將從目前3000片擴(kuò)大到15000片，共分三個(gè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)：2020年3月擴(kuò)產(chǎn)到4000 片、7月到9000片、12月朝15000 片邁進(jìn)。如此看來，14納米在2020年將開始放量。

不過這15000片的產(chǎn)能應(yīng)該有一部分是14納米的微縮版12納米，目前12納米的NTO超過14nm還多，制程主要是瞄準(zhǔn)低階AP處理器等。

由于FinFET制程的產(chǎn)能非常昂貴，平均每擴(kuò)充1000片需要投資1.5億至2.5億美元，梁孟松在業(yè)績說明會(huì)上也強(qiáng)調(diào)，產(chǎn)能擴(kuò)充前會(huì)全面評(píng)估客戶需求、預(yù)算，以及讓毛利率受到的沖擊降至最低。如此預(yù)估未來中芯國際的7納米產(chǎn)能建置應(yīng)該和14納米相當(dāng)。

對(duì)于N+1之后的N+2，梁孟松表示，N+2和N+1比較在性能方面有所提升，N+1和N+2的差異僅在于成本。同時(shí)梁孟松還表示，對(duì)于N+1和N+2，不會(huì)使用EUV方案。當(dāng)EUV準(zhǔn)備就緒時(shí)，N+2的部分層將會(huì)使用EUV。

看看友商的工藝進(jìn)展，臺(tái)積電(TSM.US)將于今年量產(chǎn)5納米以及7納米的微縮版6納米，并將進(jìn)行N5+試產(chǎn);三星也將在今年量產(chǎn)7納米(EUV)和5納米。