資本壁壘迅速提升,先進制程成為晶圓制造的分水嶺

本文來自國盛證券。

根據(jù)gartner預(yù)測，2019年全球晶圓代工市場約627億美元，占全球半導(dǎo)體市場約15%。預(yù)計2018~2023年晶圓代工市場復(fù)合增速為4.9%。

開創(chuàng)專業(yè)分工模式，晶圓代工廠在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中越來越重要。臺積電(TSM.US)開創(chuàng)了晶圓代工+IC設(shè)計的模式。隨著半導(dǎo)體制造規(guī)模效應(yīng)的凸顯，以及技術(shù)和資金壁壘的提升，IDM模式下的廠商擴張難度加大，沉沒成本提高。目前垂直分工模式成為了行業(yè)的發(fā)展趨勢，半導(dǎo)體新進入者大多采用Fabless模式，同時有更多的IDM公司如AMD(AMD.US)、NXP(NXPI.US)、TI(TXN.US)等都將走向Fabless或Fablite模式。

在晶圓代工的支持下，IC設(shè)計廠迅速崛起。根據(jù)IC Insight數(shù)據(jù)，2009~2019年IC設(shè)計行業(yè)的收入復(fù)合增速為8%，IDM行業(yè)的收入復(fù)合增速為5%。IC設(shè)計的繁榮興起與先進制程的資本、技術(shù)密度提升，使得以臺積電為代表的晶圓代工廠(Foundry)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中扮演越來越重要的角色。

2020年晶圓代工市場重返增長，0.016micron、0.032micron為當(dāng)前收入占比最高的節(jié)點。根據(jù)Gartner，2019年全球晶圓代工收入627億美元，增速為-0.2%。預(yù)計2020年增速回到8%。結(jié)構(gòu)上，收入貢獻(xiàn)最大的為0.016micron(12/14/16nm)，達(dá)到97億美元;其次為0.032micron(22/28/32nm)，達(dá)到86億美元。10nm預(yù)計26億美元，7nm預(yù)計85億美元。臺積電2019年收入為346億美元，占比達(dá)55%。

根據(jù)Gartner，從產(chǎn)能分布角度而言，2019年全球晶圓代工等效8寸片年產(chǎn)能為7838萬片，其中0.18micro達(dá)到1363萬片，其次65nm達(dá)到982萬片，45nm達(dá)到882萬片，32nm達(dá)到80萬片。根據(jù)臺積電財報，臺積電2019年等效8寸片產(chǎn)能超過2700萬片，占比約34%。根據(jù)拓璞產(chǎn)業(yè)研究，2019年，28nm以下制程的營收在前五大廠商(臺積電、三星、格芯、聯(lián)電(UMC.US)、中芯國際(00981))在的合計營收中占比約44%。

先進制程比重快速提升。根據(jù)ASML在2018年底的預(yù)測，先進制程的占比會迅速提高，其中部分現(xiàn)有制程的產(chǎn)線通過設(shè)備升級成先進制程產(chǎn)線。ASML預(yù)測2025年12寸晶圓的先進制程占比會達(dá)到2/3。

全球晶圓代工市場以晶圓廠所在地劃分，全球晶圓代工前三大區(qū)域分別為中國臺灣、中國大陸、韓國。臺灣占比達(dá)到66%左右，并在先進制程導(dǎo)入和新型產(chǎn)業(yè)趨勢下引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展。大陸處于追趕角色，比重正在持續(xù)提升，從2017年的9.0%提升至2023年的12.9%。韓國三星持續(xù)加大投資，因此韓國的份額也保持略有增長。

2019年中國大陸晶圓代工市場約2149億元，大陸集成電路向“大設(shè)計-中制造-中封測”轉(zhuǎn)型，大陸的設(shè)計、制造將起航。2018年中國大陸集成電路產(chǎn)業(yè)繼續(xù)保持快速增長，規(guī)模達(dá)到6531.4億元，同比增長20.7%，預(yù)計到2020年突破9000億。中國大陸集成電路產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)將繼續(xù)由“小設(shè)計-小制造-大封測”向“大設(shè)計-中制造-中封測”轉(zhuǎn)型，產(chǎn)業(yè)鏈逐漸從低端向高端延伸，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)更趨于合理。

半導(dǎo)體硅含量持續(xù)提升，12寸硅晶圓保持快速增長

長期維度下電子化趨勢推進，硅含量不斷提升。半導(dǎo)體硅含量代表電子系統(tǒng)中半導(dǎo)體集成電路芯片總價值占電子系統(tǒng)價值的百分比，可用來衡量半導(dǎo)體的滲透率。如果從下游需求分析，硅含量就是下游需求中半導(dǎo)體芯片的滲透率。從長期的維度上來看，電子化是不斷推進的趨勢，而各類電子產(chǎn)品中的半導(dǎo)體含量過去20年來都在不斷上升，簡稱“硅含量”提升

硅片/硅晶圓是制造芯片的核心基礎(chǔ)材料，高純度要求下工序流程復(fù)雜、設(shè)備參數(shù)要求高。Raw wafer在整體成本中的占比并不高(不到10%，芯片制程越先進占比越小)，但是，硅晶圓作為芯片制造的基礎(chǔ)核心材料能夠從量上直接觀測行業(yè)芯片的產(chǎn)出、先進制程升級的節(jié)奏。

硅片/晶圓供給的主要增長來自于12寸(300mm)，8寸片以存量產(chǎn)能為主。根據(jù)硅片龍頭Sumco在2019Q3的指引，2018~2022年12寸硅片需求數(shù)量復(fù)合增長率預(yù)期為4.1%;12寸硅片供給數(shù)量復(fù)合增長率預(yù)期為3.9%，供給增速低于需求增速。從需求側(cè)分拆，硅片幾大需求包括Nand、Dram、Logic和其他。

摩爾定律：先進制程成為晶圓制造的分水嶺摩爾 定律沒有失效，但資本壁壘迅速提升

摩爾定律：當(dāng)價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18~24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。英偉達(dá)(NVDA.US)的黃仁勛認(rèn)為嚴(yán)格意義上的摩爾定律已經(jīng)失效，IMEC(比利時微電子研究中心)、ASML等機構(gòu)為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)劃的藍(lán)圖里摩爾定律持續(xù)演進。摩爾定律沒有失效，但是制程之外的設(shè)計與工藝扮演越來越重要的角色，同時資本密集度的迅速提升使得行業(yè)壁壘發(fā)生變化。

摩爾定律推進，但制程提升貢獻(xiàn)比例在下降。根據(jù)AMD數(shù)據(jù)，過去十年制程升級帶來更高性能、更低功耗，制程升級為半導(dǎo)體性能提升貢獻(xiàn)40%。根據(jù)ASML預(yù)測，2018~2028年的未來十年半導(dǎo)體性能提升進一步加速，制程提升的貢獻(xiàn)為30%左右，剩下增長來自于諸如3D Stacking、多核架構(gòu)、內(nèi)存整合、軟件系統(tǒng)、電源管理等多方面的升級。因此，在未來的芯片性能提升中，架構(gòu)、系統(tǒng)、軟件將扮演越來越重要的角色。

晶圓制造行業(yè)發(fā)展趨勢面臨Die Size限制和成本限制。過去十年，CPU及GPU的Die Size呈現(xiàn)上升趨勢，但受制于12寸晶圓產(chǎn)線，Die Size的增長是不可持續(xù)的。同時，相同Die Size的晶圓產(chǎn)線，單位面積成本也不斷攀升，5nm的單位面積成本是45nm的5倍。

先進制程的持續(xù)升級帶來巨額的成本。根據(jù)IBS，3nm芯片的設(shè)計費用約5~15億美元，工藝開發(fā)費用約40~50億美元，興建一條3nm產(chǎn)線的成本約150~200億美元。3nm芯片僅比5nm芯片提升15%性能、降低25%功耗。根據(jù)IMEC論文，7nm以后，每一代升級單個晶圓的工藝成本(Process Cost)提升幅度達(dá)到30%。同樣面積的硅晶圓，即使通過微縮增加了晶體管的數(shù)量，生產(chǎn)成本也會相應(yīng)增加。

資金、技術(shù)壁壘提升，先進制程的供給端向寡頭壟斷發(fā)展，先進制程供不應(yīng)求。創(chuàng)新推動先進制程需求。根據(jù)臺積電的產(chǎn)品組合，最先進制程主要是為logic和部分RF提供，主流的成熟制程能覆蓋大部分其他應(yīng)用領(lǐng)域。隨著創(chuàng)新不斷升級，5G、AI、物聯(lián)網(wǎng)等需求提升，創(chuàng)新導(dǎo)入時使用的制程工藝從成熟向先進工藝升級。

供給受限于有限的產(chǎn)能。目前先進制程的供給端只有臺積電、三星、英特爾(INTC.US)。英特爾為IDM，自家消費級10nm產(chǎn)品產(chǎn)能不足、市場缺貨。受益于5G、智能手機、HPC、AIoT等需求，7nm及以下先進制程需求旺盛。臺積電為先進制程的核心晶圓代工廠，目前10nm工藝客戶已經(jīng)超過10家，7nm EUV客戶至少5家(蘋果(AAPL.US)、海思、高通(QCOM.US)、三星、AMD)，6nm客戶除了7nm EUV的5家還多了博通、聯(lián)發(fā)科。臺積電7nm產(chǎn)品持續(xù)滿產(chǎn)，多個客戶爭搶產(chǎn)能，由臺積電進行產(chǎn)能配置。

晶圓制造行業(yè)技術(shù)復(fù)雜度不斷提升

摩爾定律引領(lǐng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)持續(xù)升級需要貫穿整條產(chǎn)業(yè)鏈，包括上游(設(shè)備如光刻機廠商ASML)、晶圓制造(臺積電、英特爾、三星)以及下游(IC設(shè)計如蘋果、AMD、海思、高通、聯(lián)發(fā)科等)等環(huán)節(jié)的廠商協(xié)同。

光刻機從DUV到浸入式DUV，再升級成EUV，成為推進摩爾定律的重要環(huán)節(jié)。根據(jù)ASML預(yù)測，晶圓代工領(lǐng)域節(jié)點會持續(xù)升級;內(nèi)存DRAM領(lǐng)域也將使用EUV;閃存Nand等向3D堆疊發(fā)展，不需要用EUV升級。其他設(shè)備龍頭廠商如AMAT、Lam Research、KLA Tencor等

也紛紛布局先進制程節(jié)點相關(guān)設(shè)備。

晶體管結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，形態(tài)更加復(fù)雜。2011年，英特爾在22nm時引入FinFET，減少橫向尺寸，增加單位面積設(shè)備密度，同時增加鰭的高度。三星計劃于2021~2022引入GAA，應(yīng)用于其3nm制程。臺積電除了GAA晶體管結(jié)構(gòu)之外，也進行其他方向布局。

先進封裝技術(shù)是高性能芯片的重要基礎(chǔ)之一。硅通孔(TSV)的三維封裝技術(shù)在超越摩爾定律中扮演重要角色。先進封裝技術(shù)提升了互聯(lián)密度和信號傳輸速率。在已經(jīng)量產(chǎn)的2.5D IC領(lǐng)域，臺積電主推CoWoS工藝，英特爾主推EMIB工藝，三星主推FOPLP。未來通過難度更高的TSV技術(shù)，臺積電將進一步量產(chǎn)SoIC、WoW等3D IC，英特爾推出Foveros技術(shù)，三星推出3D SiC。

護城河加深，行業(yè)高壁壘、高集中、少進入者

先進制程呈現(xiàn)資金、技術(shù)壁壘不斷提高的趨勢，行業(yè)格局逐漸出清。從制造環(huán)節(jié)而言，行業(yè)資金、技術(shù)壁壘極高，不僅十多年來沒出現(xiàn)新的競爭玩家，而且隨著制程分水嶺的出現(xiàn)，越來越多的參與者從先進制程中“出局”。格羅方德在2018年宣布放棄7nm研發(fā)，聯(lián)電在2018年宣布放棄12nm以下(即7nm及以下)的先進制程投資，因此保持先進制程研發(fā)的玩家僅剩行業(yè)龍頭臺積電、三星、英特爾等，以及處于技術(shù)追趕的中芯國際。

高資金壁壘和技術(shù)壁壘，行業(yè)十多年沒有新的競爭者出現(xiàn)且越來越多現(xiàn)有玩家放棄先進制程追趕。龐大的資金投入使得中小行業(yè)玩家望而卻步，復(fù)雜越來越高的工藝和技術(shù)成為行業(yè)固有護城河，并且隨著“摩爾定律”推進，每一個制程節(jié)點都舉步維艱，擁有高端制程能力的公司屈指可數(shù)。

行業(yè)呈現(xiàn)寡頭壟斷，臺積電強者愈強。根據(jù)拓璞產(chǎn)業(yè)研究，2019年全球十大晶圓代工廠分別為：臺積電、三星、格芯、聯(lián)電、中芯國際、TowerJazz、H-Grace、VIS、PSC、DongbuHiTek。臺積電市占率超過50%，在整個晶圓代工行業(yè)，臺積電不管是技術(shù)領(lǐng)先性還是優(yōu)質(zhì)客戶和訂單的選擇，都是保持比較大的優(yōu)勢。

目前能夠提供7nm及7nm以下先進制程工藝(對應(yīng)英特爾10nm)的廠商僅有臺積電、英特爾和三星。根據(jù)拓璞產(chǎn)業(yè)研究，2019年臺積電先進制程市場份額為52%，英特爾約25%，三星約23%。

晶體管密度不斷提升，但不同廠商命名規(guī)格有區(qū)別。英特爾的10nm工藝晶體管密度介于臺積電7nm和7nm EUV之間。2019年，臺積電7nm制程投資大概100~110K產(chǎn)能，客戶較多。三星7nm LPP(EUV)工藝產(chǎn)能大概10K，三星的晶圓代工業(yè)務(wù)客戶主要是三星、高通、IBM。根據(jù)拓璞產(chǎn)業(yè)研究，2020年臺積電5nm產(chǎn)能預(yù)計60~70K，同時三星預(yù)計也會推出其5nm工藝。

臺積電積極推動先進制程，引領(lǐng)全行業(yè)。根據(jù)制程性能提升幅度上看，28nm、16nm、7nm等具有顯著提升幅度的節(jié)點，一般具有相對較長的壽命;而提升幅度較少的節(jié)點一般為過渡節(jié)點。臺積電6nm預(yù)計在2020Q1進行風(fēng)險試產(chǎn)，預(yù)計2020年年底量產(chǎn);5nm進入爬坡提升良率階段，預(yù)計2020年3月開始量產(chǎn)。臺積電的5nm邏輯密度將是之前7nm的1.8倍，SRAM密度是7nm的1.35倍，可以帶來15%的性能提升，以及30%的功耗降低。

英特爾在10nm制程上稍微落后，隨后7nm預(yù)計在2021年量產(chǎn)，并持續(xù)進行優(yōu)化。英特爾制程升級歷史一般是兩年一次，但從2014年的14nm到2019年的10nm，出現(xiàn)明顯的升級放緩。目前，英特爾的10nm工藝已經(jīng)量產(chǎn)，但存在缺貨問題。英特爾預(yù)計2020年推出10nm+，2021年推出7nm及10nm++，2022年推出7nm+，2023年推出7nm++。英特爾的晶圓廠主要用于生產(chǎn)自家CPU。英特爾2020年capex提升至170億美元，其中一半用于7/5nm和擴大Fab工廠。英特爾的10nm還是采用浸入式DUV設(shè)備，7nm才開始導(dǎo)入EUV設(shè)備。英特爾的芯片從2018H2開始就供不應(yīng)求，因此2019年capex為162億美元，產(chǎn)能增長25%。

三星積極投入晶圓代工領(lǐng)域，加快制程升級。三星在2017年將晶圓代工業(yè)務(wù)部門從系統(tǒng)LSI中獨立出來，主要為全球客戶制造非存儲芯片。截止2019年底，三星晶圓代工專屬線包括6條12寸線和3條8寸線。提供包括65納米、45納米、32/28納米HKMG、14納米FinFET、10納米FinFET、7納米FinFET EUV工藝，客戶包括蘋果、高通、超微半導(dǎo)體、賽靈思、英偉達(dá)、恩智浦(NXP)以及韓國本土公司Telechips等。三星計劃在2020年底試產(chǎn)3nm工藝，并專用GAA MCFET工藝技術(shù)。三星計劃在未來十年(至2030年)共投資約1150億美元，用于爭取晶圓代工行業(yè)主導(dǎo)權(quán)。

半導(dǎo)體需求三駕馬車共振，國產(chǎn)替代迎來機遇

創(chuàng)新趨勢不變：創(chuàng)新是決定電子行業(yè)的估值與持續(xù)成長的核心邏輯，本輪創(chuàng)新由5G驅(qū)動的數(shù)據(jù)中心、手機、通訊等歷史上第一次共振。

中期供需仍緊張：全球半導(dǎo)體投資關(guān)注中期供需的核心變量——需求與資本開支，疫情對短期需求會有一定擾動，但中期三大需求不受本質(zhì)影響，而全球資本開支截止2019Q3末還沒有全面啟動，并有部分企業(yè)由于疫情再次遞延資本開支，中期供需缺口有望繼續(xù)放大。

供給方面，全球資本開支除龍頭臺積電外尚未全面啟動，我們預(yù)計本次疫情中部分企業(yè)將再度進行資本開支遞延，中期供需缺口有望進一步放大，中期景氣度有望繼續(xù)保持向上趨勢!

國產(chǎn)替代歷史性機遇開啟，2019年正式從主題概念到業(yè)績兌現(xiàn)，2020年有望繼續(xù)加速。逆勢方顯優(yōu)質(zhì)公司本色，這是19年行業(yè)下行周期中A股半導(dǎo)體公司迭超預(yù)期，優(yōu)質(zhì)標(biāo)的國產(chǎn)替代、結(jié)構(gòu)改善逐步兌現(xiàn)至報表是核心原因。進入2020年，我們預(yù)計在國產(chǎn)化加速疊加行業(yè)周期景氣上行之下，A股半導(dǎo)體龍頭公司們有望延續(xù)高增長表現(xiàn)。

數(shù)據(jù)中心：數(shù)據(jù)中心回暖，受益于5G持續(xù)發(fā)展

在目前服務(wù)器均價已經(jīng)企穩(wěn)的同時，我們認(rèn)為在未來隨著5G對其的拉動，內(nèi)部升級將不間斷，5G網(wǎng)絡(luò)帶來的傳輸速度將會較4G有質(zhì)的提升，服務(wù)器將會在應(yīng)對存儲方面呈幾何倍數(shù)增長的需求的同時，還需要保持高帶寬、低時延、高穩(wěn)定性的要求，對于服務(wù)器而言無疑是在性能方面提出了更高的要求。服務(wù)器或有望在未來實現(xiàn)更進一步的價值量的提高，達(dá)到價量齊升的平臺。

全球服務(wù)器行業(yè)已經(jīng)歷經(jīng)多年，其出貨量從2013年至2018年也經(jīng)歷了起起伏伏。2018年，全球服務(wù)器市場出貨量再次實現(xiàn)了超越10%的增長，主要源自于云計算、大數(shù)據(jù)、AI等新一代技術(shù)對互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)持續(xù)拓展基礎(chǔ)架構(gòu)規(guī)模的推動，同時也刺激了傳統(tǒng)企業(yè)用戶的采購需求。2019年，企業(yè)買家和超大規(guī)模公司通過ODM購買的需求比前幾個季度減少，這影響了第一季度的市場增長速度，但用戶對高配置服務(wù)器的需求將進一步支持平均售價的增長。

隨著IoT、AI(尤其智能安防)和智能駕駛時代到來，邊緣計算的快速成長帶來的性能需求將成為中長期半導(dǎo)體的成長驅(qū)動!數(shù)據(jù)中心對服務(wù)器的需求成為整體服務(wù)器市場出貨成長的關(guān)鍵。我們預(yù)計近兩年來數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的需求將在2020年前完成規(guī)劃，將繼續(xù)維持每年二至三成的年增率，推動服務(wù)器出貨量及市場的增長。

我們根據(jù)IDC以及Gartner對于過往季度的服務(wù)器出貨量以及對未來的服務(wù)器出貨量的預(yù)測進行調(diào)整后，我們預(yù)計在2019年后服務(wù)器行業(yè)將受到5G時代的沖擊，實現(xiàn)長期且穩(wěn)定的出貨量的增長，同時由于服務(wù)器產(chǎn)品的不斷升級，我們也預(yù)計其單價將在未來逐步增長。預(yù)計全球服務(wù)器的出貨量將會在2020年達(dá)到1220萬臺，而隨著5G的逐步鋪設(shè)，在2021年將會繼續(xù)保持約10%的增長，且之后預(yù)計將以每年7%~8%的增速穩(wěn)定且持久的增長。

對于中國內(nèi)服務(wù)器需求及出貨量而言，我們認(rèn)為中國作為5G建設(shè)最快國，服務(wù)器方面的建設(shè)也將遙遙領(lǐng)先，同時由于中國在該方面進度略慢于海外，故在2021年之前服務(wù)器出貨量將維持高于全球增速的平臺之上，之后逐步恢復(fù)，與全球的服務(wù)器增速趨同。

我們依舊是根據(jù)Gartner以及IDC的數(shù)據(jù)對服務(wù)器進行了簡單的分類：高性能運算服務(wù)器以及傳統(tǒng)服務(wù)器。根據(jù)預(yù)測，在接下來數(shù)年內(nèi)服務(wù)器市場的增長將主要以可支撐AI計算方面的高性能服務(wù)器為主，同時也將帶動CPU/GPU、以及Dram的高增長。

中國手機市場正值5G放量的“前夜”。IDC公布全球2019年Q3手機出貨量為3.58億部，同比增長1%，智能手機的市場正在逐漸回暖。按照市場份額來看，排名第一的為三星，三季度出貨7820萬，同比增長8.3%。華為排名第二，三季度出貨6660萬，同比增長28.2%。蘋果三季度出貨4660萬，同比下滑0.6%。

5G芯片備貨量超預(yù)期，逐漸向中低端滲透。根據(jù)IDC預(yù)測，2019年5G手機出貨量為670萬部，份額僅為0.5%。到2023年，5G手機出貨量將達(dá)到整體手機出貨量的26%。各家5G芯片供應(yīng)商紛紛加足馬力備貨，我們預(yù)計2020年全球5G手機出貨量為2-3億部。

臺積電7納米制程產(chǎn)能在2019年第3季開始全線爆滿的盛況，2020年上半年都可能出現(xiàn)產(chǎn)能供不應(yīng)求的局面。聯(lián)發(fā)科、高通、三星電子及海思等5G芯片供應(yīng)商，都不斷要求上、下游協(xié)力廠大舉擴充產(chǎn)能，并有效拉高公司內(nèi)外的庫存水平。我們看到5G芯片的備貨開始向中低端加速滲透。

移動數(shù)據(jù)傳輸量和傳輸速度的不斷提高主要依賴于移動通訊技術(shù)的變革，及其配套的射頻前端芯片的性能的不斷提高。在過去的十年間，通信行業(yè)經(jīng)歷了從2G到3G再到4G(FDD-LTE/TD-LTE)兩次重大產(chǎn)業(yè)升級。在4G普及的過程中，全網(wǎng)通等功能在高端智能手機中得到廣泛應(yīng)用，體現(xiàn)了智能手機兼容不同通信制式的能力。

根據(jù)QYR Electronics Research Center的統(tǒng)計，從2011年至2018年全球射頻前端市場規(guī)模以年復(fù)合增長率13.10%的速度增長，2018年達(dá)149.10億美元。受到5G網(wǎng)絡(luò)商業(yè)化建設(shè)的影響，自2020年起，全球射頻前端市場將迎來快速增長。2018年至2023年全球射頻前端市場規(guī)模預(yù)計將以年復(fù)合增長率16.00%持續(xù)高速增長，預(yù)計2023年接近313.10億美元。

隨著消費者對高質(zhì)量拍照、錄像的需求日益增加，攝像頭模組的進化是智能手機發(fā)展的必經(jīng)之路。伴隨著雙攝、三攝滲透率的提高，市場將會開啟新的成像變革。根據(jù)Statista的預(yù)測，2018年三攝滲透率僅為1.6%，而到了2020年三攝的滲透率將達(dá)到24.5%。在采用三攝的機型上，安卓陣營在今明兩年或比蘋果更加積極。

旗艦機種的像素不斷升級，由2000萬逐漸升至4000萬。前置攝像頭也逐漸由800萬升級至2400萬，拍照效果提升。此外，國內(nèi)高端機種的鏡頭也逐漸從5P升級到6P，以便實現(xiàn)超級大廣角，大光圈，光學(xué)變焦也不斷升級至三倍，使得夜拍效果逐漸加強。IDC預(yù)計2018年后置鏡頭的6P滲透率約為40%。

智能手機創(chuàng)新進一步提升單機硅含量。Sumco預(yù)計5G智能手機升級將拉動需求，DRAM、camera硅含量翻倍，Nand硅含量增長至8倍。假設(shè)高端手機為4億部不變，5G升級促進高端手機所消耗的硅片將從430 K/M提升至533 K/M。

通訊：5G基站建設(shè)進入放量期

5G由于需要提供更快的傳輸速度，所使用的頻率將向高頻率頻道轉(zhuǎn)移，從而無法避免的會將其信號的衍射能力(即繞過障礙物的能力)降低，而想要將其解決的辦法既是：增建更多基站以增加覆蓋。

基建建設(shè)帶來的放量降價是每一輪通信周期的必由之路，行業(yè)必然經(jīng)歷一波洗禮，回顧2G-4G的歷史，具有技術(shù)及資本護城河，掌握渠道優(yōu)勢的公司走的更長，需要深入評估每個賽道的競爭格局和公司治理能力。

根據(jù)賽迪顧問的預(yù)測數(shù)據(jù)，5G宏基站的數(shù)量在2026年預(yù)計將達(dá)到475萬個，是2017年底4G基站328萬個的1.45倍左右，配套的小基站數(shù)量約為宏基站的2倍，約為950萬個，總共基站數(shù)量約為1425萬個。PCB是基站建設(shè)中不可缺少的電子材料，如此龐大的基站量，將會產(chǎn)生巨大的PCB增量空間。

全球各大運營商將加緊部署5G基站。截至2019年8月，全球參與5G投資和建設(shè)的國家和運營商分別為98個和293個，全球5G基站累計出貨量45.3萬個。其中，中國5G基建出貨量位居世界第一，已構(gòu)建8.6萬個基站。在293個通信供應(yīng)商中，有55家在網(wǎng)絡(luò)中已部署了5G，其余數(shù)百家仍處于規(guī)劃、評估、測試階段。

運營商資本開支方面。2019年國內(nèi)三大運營商資本開支企穩(wěn)回升。中國移動2019年資本開支預(yù)計為1660億元，同比下滑0.7%，中國電信2019年資本開支預(yù)計780億元，同比增長4%，中國聯(lián)通2019年資本開支預(yù)計580億元，同比大幅提升。2019年整體資本開支合計約3020億元，同比回升約4%。

國產(chǎn)替代：歷史性機遇開啟，晶圓代工訂單轉(zhuǎn)移

國產(chǎn)替代歷史性機遇開啟，今年正式從主題概念到業(yè)績兌現(xiàn)。逆勢方顯優(yōu)質(zhì)公司本色，為什么在19H1行業(yè)下行周期中A股半導(dǎo)體公司迭超預(yù)期，優(yōu)質(zhì)標(biāo)的國產(chǎn)替代、結(jié)構(gòu)改善逐步兌現(xiàn)至報表是核心原因。

華為事件加速國產(chǎn)鏈重塑，幾乎所有科技龍頭，甚至部分海外龍頭也在加快國產(chǎn)鏈公司導(dǎo)入。過去我們見證了通信、家電、工程機械、光伏、高鐵、消費電子等核心戰(zhàn)略領(lǐng)域從無到有，從弱到強的過程，半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)具備市場、系統(tǒng)、下游、技術(shù)突破等成長關(guān)鍵要素。

華為對于打壓多年前就有所預(yù)計并持續(xù)推演，長期以來在研發(fā)、業(yè)務(wù)連續(xù)性方面進行了大量投入和充分準(zhǔn)備，“下閑棋、燒冷灶”。之前我們以智能終端為例進行拆解、分析和比較，可以發(fā)現(xiàn)華為作為一家系統(tǒng)級公司，已經(jīng)在大部分芯片品類上自給自足，同時也注意到存儲、射頻、模擬芯片上仍然存在短板、受制于人。

我們預(yù)計華為正在開啟一輪國產(chǎn)供應(yīng)鏈重塑，目前產(chǎn)業(yè)跟蹤來看代工、封裝、測試以及配套設(shè)備、材料已經(jīng)開始實質(zhì)性受益，我們繪制傳導(dǎo)路徑如下：

海思國產(chǎn)鏈傳導(dǎo)受益路徑分析：

代工訂單：海思加大自研力度，追單臺積電先進制程，同時傳統(tǒng)制程向中芯國際大量轉(zhuǎn)移，從而臺積電、中芯國際產(chǎn)能利用率提升受益;

封測訂單：第一重受益海思自研產(chǎn)品提升(總盤子提升)，第二重受益封測訂單由安靠等海外廠商向國內(nèi)代工龍頭長電科技、華天科技等廠商轉(zhuǎn)移，從而長電科技、華天科技、通富微電等封測廠商產(chǎn)能利用率提升;

配套設(shè)備&材料：國內(nèi)供應(yīng)鏈占比提升后，國內(nèi)封測廠追加產(chǎn)能，CAPEX提升，從而配套設(shè)備供應(yīng)商及材料供應(yīng)商或?qū)闹惺芤妗?/p>

行業(yè)近況：景氣上行，新一輪資本開支啟動 

臺積電：全球晶圓代工龍頭廠商，增加資本開支推進先進制程

臺積電Q4業(yè)績符合預(yù)期，Q1營收、毛利率超預(yù)期。臺積電Q4收入103.9億美元，環(huán)比+8%，毛利率50.2%超此前指引上限;EPS NT$4.5, +15%QoQ/+16% YoY。收入、毛利率、EPS均高于市場預(yù)期和公司之前指引。1Q20收入指引102~103億美元，環(huán)比-1.7%/同比+45%YoY，超出市場樂觀預(yù)期。同時1Q20產(chǎn)能利用率環(huán)比指引繼續(xù)提升。

資本開支繼續(xù)上調(diào)，看好后續(xù)景氣度。先進制程持續(xù)升級，資本開支繼續(xù)提高。6nm預(yù)計2020年底量產(chǎn)，5nm預(yù)計2020年3月可以開始量產(chǎn)。臺積電2018/2019年資本開支105、149億美元，2020年資本開支預(yù)計150~160億美元(此前預(yù)期130~140億美元)。未來如果3nm技術(shù)順利推進，資本開支將不會下降。

2020年繼續(xù)領(lǐng)先行業(yè)增速。半導(dǎo)體行業(yè)拐點到來，增速回暖，庫存健康，稼動率提升。2020年半導(dǎo)體行業(yè)(ex-Memory)增速預(yù)計8%，晶圓代工增速預(yù)計17%，臺積電預(yù)計2020年同比+20%繼續(xù)領(lǐng)先行業(yè)增速成長。臺積電庫存位于健康水位。7nm、12/16nm需求強勁，5G、HPC、IoT有望推動先進制程增長，預(yù)計2020年5G手機滲透率約15%左右。28nm整體產(chǎn)能充足。8寸晶圓由于指紋、PMIC、Driver IC的需求，產(chǎn)能較為緊張。

資本開支是創(chuàng)新周期的先行指標(biāo)，我們復(fù)盤臺積電二十年成長，每一輪資本開支大幅上調(diào)后均有2~3年的顯著高增長。歷史上臺積電基本每10年出現(xiàn)一次資本開支躍升，此前分別是99~01、10~11年，并且每次資本開支大幅上調(diào)后的2-3年營收復(fù)合增速會顯著超過其他年份。以09~11年為例，資本開支從09年27億美元躍升至60-90億美元，此后保持于高位，相應(yīng)在11年率先推出28nm制程引領(lǐng)行業(yè)實現(xiàn)連續(xù)高增長。本輪7nm/5nm EUV同樣是重要的制程節(jié)點，面向AI/HPC/5G/IoT等應(yīng)用爆發(fā)，臺積電資本開支再度進入躍遷式提升，從2018年的105億美元提升至2019年149億美元，2020年還將繼續(xù)維持高位。

除了先進制程，臺積電的特殊工藝平臺也比較豐富。臺積電邏輯制程涵蓋7nm/16nm/12nm/22nm……等。特殊涵蓋BCD、NVM、HV、Sensor、ULP/ULL、模擬、射頻等多種技術(shù)平臺。

中芯國際：先進制程追趕加速，14nm進展超預(yù)期

中芯國際公司是全球位列第四的純晶圓代工廠商，也是國內(nèi)技術(shù)最先進、規(guī)模最大的集成電路制造企業(yè)。中芯國際公司成立于2000年，總部位于上海，公司深耕晶圓代工近20年，8英寸及12英寸晶圓產(chǎn)能均國內(nèi)第一，技術(shù)橫跨0.35μm到14nm，產(chǎn)線布局廣泛，是集晶圓代工與技術(shù)服務(wù)于一身的一站式平臺。

公司可提供的高端制造包括：邏輯芯片、混合信號/射頻收發(fā)芯片、耐高壓芯片、系統(tǒng)芯片、閃存芯片、EEPROM芯片、圖像傳感器芯片電池管理、微型機電系統(tǒng)等;晶圓代工解決方案的服務(wù)涉及：光罩制造、IP研發(fā)及后段輔助設(shè)計服務(wù)，如：凸塊加工服務(wù)、晶圓探測，終端封裝、測試等。公司下游客戶端多為行業(yè)優(yōu)質(zhì)企業(yè)，包括高通、博通、華為海思、格科微、兆易創(chuàng)新、紫光展銳、北京豪威等。

先進制程取得突破。公司是國內(nèi)首家可提供28nm PolySiON 和HKMG先進制程的晶圓代工企業(yè);隨后完成28nm HKC+技術(shù)開發(fā)，并于2018年末度成功實現(xiàn)量產(chǎn)。隨著梁孟松加入，制程追趕重啟。2019年下半年，公司14nm FinFEF實現(xiàn)量產(chǎn)。目前，公司12nm工藝進入流片階段，新一代研發(fā)的FinFEF N+1 工藝也進入客戶導(dǎo)入階段，將助力于5G、物聯(lián)網(wǎng)、車用電子等新興應(yīng)用的發(fā)展。

中芯國際是國內(nèi)先進制程追趕的重要平臺。中芯國際28nm進展相對放緩，且臺積電28nm產(chǎn)能過剩，因此一直沒擴。梁孟松加入中芯國際以來，開始加大技術(shù)投入和追趕，14nm的量產(chǎn)便是標(biāo)志性事件。預(yù)計14nm開始擴產(chǎn)，同時更先進的技術(shù)制程也會快加推進。我們認(rèn)為14nm的突破只是開始，未來更先進制程上有望大幅縮小與臺積電的代際差異(28nm、14nm均差了四年)。

打造國內(nèi)重要的先進制程投資平臺。根據(jù)2019Q3財報，公司前三大股東分別為大唐電信17.01%、產(chǎn)業(yè)基金15.78%、紫光集團6.93%、公司旗下主要有四家全資子公司，中芯北京、中芯上海、中芯天津、中芯深圳，此外還有合資公司中芯北方、中芯南方、中芯長電等。其中，中芯南方將打造先進制程晶圓代工廠。

中芯國際在北京、上海、天津、深圳等地共有已建及在建晶圓廠7座(4座12寸廠與3座8寸廠)。截止2019Q3，公司8寸晶圓月產(chǎn)能達(dá)22萬片，12寸晶圓月產(chǎn)能達(dá)10萬片，合計折算后的8英寸月產(chǎn)能高達(dá)44.39萬片，位于國內(nèi)首位。2019Q3產(chǎn)能利用率高達(dá)97%。

8英寸方面，PMIC、指紋識別、圖像傳感器為主要推動力。其中，公司0.15/0.18μm下游營收占比最大，2019年三季度占總收入比例達(dá)35.8%。0.15/0.18μm下游應(yīng)用于電源管理IC、指紋識別、CIS、智能卡嵌入式存儲、MCU及配套eFlash等。

12英寸成熟制程方面，應(yīng)用處理器、視頻處理芯片、WIFI藍(lán)牙芯片為主要應(yīng)用。近兩年，公司55/65nm營收占比逐年提高，2019Q3提升至29.3%，主要來自邏輯、MCU、射頻，應(yīng)用端包括對于性能要求較低的應(yīng)用處理器如自行車記錄儀、學(xué)生電腦、MCU及配套eFlash、NOR Flash、WiFi藍(lán)牙芯片、通訊相關(guān)芯片、CMOS圖片傳感器等。40nm制程工藝營收主要來自邏輯、射頻、NAND，應(yīng)用端包括機頂盒和數(shù)字電視應(yīng)用處理器、ISP芯片、多媒體和顯示器、WIFI藍(lán)牙芯片以及38nm SPI NAND Flash等。

中芯國際14nm FinFET工藝的實現(xiàn)也標(biāo)志著公司下游應(yīng)用將邁進5G、物聯(lián)網(wǎng)、車用電子、高性能計算等領(lǐng)域。公司預(yù)計該工藝在2020年實現(xiàn)量產(chǎn);對于應(yīng)用端，計劃未來按三階段進行推進：一階段，聚焦高端客戶，多媒體應(yīng)用;二階段，聚焦中低端移動應(yīng)用，并在AI、礦機、區(qū)塊鏈等應(yīng)用有所準(zhǔn)備;三階段，發(fā)展射頻應(yīng)用。

行業(yè)景氣，產(chǎn)能利用率逐季提升。中芯國際2019Q1~Q4產(chǎn)能利用率逐季提升，2019Q3位97%，2019Q4達(dá)到99%。預(yù)計行業(yè)景氣持續(xù)保持。通訊占比最高，同時中國大陸及香港貢獻(xiàn)作用提升。

2019年第四季度實現(xiàn)營業(yè)收入8.39億美元，相比去年同期7.88億美元增長6.6%。環(huán)比提升2.8%，去除Avezzano 200nm 晶圓廠營收貢獻(xiàn)的影響，同比提升4.6%。環(huán)比漲幅達(dá)13.8個百分點。四季度實現(xiàn)毛利1.99億美元，同比提升17.4%，環(huán)比增長48.7%，整體毛利率23.8%，比去年同期的17.0%提升接近7個百分點。CMOS圖像傳感器、電源IC、指紋，藍(lán)牙和專用存儲平臺強勢增長，收入在2019年第四季度環(huán)比增長5%，同比增長11%。

Q4營收國內(nèi)客戶占比提升至65%，國產(chǎn)化趨勢繼續(xù)加強。公司在中國區(qū)營收四季度占比65%，環(huán)比增長11%，同比增長21%，國產(chǎn)化趨勢進一步增強。

14nm超預(yù)期，12nm開始客戶導(dǎo)入。14nm工藝19Q4創(chuàng)造營收約769萬美元，占總營收的1%，預(yù)計營收將在今年穩(wěn)步上升，產(chǎn)能也將會隨著中芯南方12英寸廠產(chǎn)能爬坡而增長;中芯國際12nm工藝也已經(jīng)進入了客戶導(dǎo)入階段，2019年年底有幾個客戶已經(jīng)進行了流片;下一代N+1工藝與14nm相比，性能將有20%的提升，功耗降低57%，邏輯面積縮小63%，SoC面積減少55%，N+1新平臺已開始有客戶導(dǎo)入，證明公司研發(fā)投入轉(zhuǎn)換率加快提高。

2020Q1業(yè)績指引超預(yù)期，啟動新一輪資本開支。2020Q1公司整體營業(yè)收入預(yù)計為8.39~8.56億美元，環(huán)比增加0%~2%，毛利率預(yù)計介于21%~23%。2020年公司啟動新一輪資本開支，預(yù)計全年晶圓代工廠資本支出約31億美元，其中20億美元用于上海300mm fab，5億美元用于北京的300mm fab的設(shè)備和設(shè)施建設(shè)。

華虹半導(dǎo)體于2005 年在香港注冊成立, 是華虹集團旗下子公司，2014 年 10 月在香港主板上市。華虹半導(dǎo)體主要業(yè)務(wù)透過位于上海的子公司，上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司(“華虹宏力”)開展，由原上海華虹 NEC 電子有限公司和上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司于 2011 年新設(shè)合并而成。

華虹半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工企業(yè)，僅次于臺灣世界先進。公司致力于研發(fā)及制造專業(yè)應(yīng)用的200mm晶圓半導(dǎo)體，涵蓋嵌入式非易失性存儲器、功率器件、模擬及電源管理和邏輯及射頻等差異化工藝平臺，其卓越的質(zhì)量管理體系亦滿足汽車電子芯片生產(chǎn)的嚴(yán)苛要求。

截止2018 年公司五大產(chǎn)品平臺的營收占比：內(nèi)嵌式非易失存儲器38.70%，分立器件33.40%，模擬與電源管理15.30%，邏輯與射頻10.20% 和 獨立非易失性存儲器2.30%。

(1)嵌入式非易失性存儲器：營收占比最高的是嵌入式非易失性存儲器，包含高密度、高性能的嵌入式閃存(eFlash)，耐擦寫、可靠性高的電可擦寫可編程只讀存儲器(EEPROM)和兼容邏輯工藝、低成本的一次編程/多次編程存儲器(eOTP/MTP)。90 nm低功耗嵌入式閃存工藝平臺實現(xiàn)了高端智能卡芯片的國產(chǎn)化，具有高度自有知識產(chǎn)權(quán)，已累計獲得國內(nèi)發(fā)明專利授權(quán) 70 件，美國專利授權(quán) 20 件，提高了客戶產(chǎn)品的競爭力。

工藝平臺高性能、高可靠性及高集成度令華虹半導(dǎo)體成為各類智能卡及微控制器(MCU)等多種快速發(fā)展的嵌入式非易失性存儲器應(yīng)用的首選晶圓代工企業(yè)之一。智能卡是華虹半導(dǎo)體公司在嵌入式非易失性存儲器產(chǎn)品的主要應(yīng)用，目前占公司收入的比例大約 24%，是公司的核心業(yè)務(wù)之一。作為領(lǐng)先的智能卡芯片代工提供商，華虹宏力的代工產(chǎn)品涵蓋電信卡、U-key、社?？ā⑸矸葑C、銀行卡以及眾多安全芯片。2018年，華虹宏力智能卡芯片出貨量達(dá)30億顆;其中，SIM卡芯片出貨19億顆，約占全球1/3市場份額。

(2)分立器件：華虹半導(dǎo)體生產(chǎn)的分立器件有三大類：(1)600V溝槽式 MOSFET。該技術(shù)的產(chǎn)品非常適合用于市電范圍的開關(guān)電源、AC/DC、適配器/充電器和LED照明等應(yīng)用。(2)深溝槽型超級結(jié)MOSFET 600-700V。公司超級結(jié)的第三代工藝技術(shù)已經(jīng)成熟。該技術(shù)的產(chǎn)品非常適合用于市電范圍的開關(guān)電源、AC/DC、適配器/充電器和LED照明等應(yīng)用。(3)基于溝槽結(jié)構(gòu)的600V-1200V非穿通型和場截止型IGBT，目前主要應(yīng)用于小家電、 UPS、電焊機、馬達(dá)驅(qū)動、充電樁等，已進入電動汽車的逆變器，成為汽車電子功率器件可靠的平臺。

作為全球首家以及最大的 8 英寸純晶圓功率器件制造企業(yè)，華虹宏力功率器件的技術(shù)全球領(lǐng)先。公司有 10 年以上的功率器件產(chǎn)品的量產(chǎn)經(jīng)驗，多年的量產(chǎn)經(jīng)驗保證了華虹宏力的高品質(zhì)和高合格率，同時也培養(yǎng)了一支成熟的技術(shù)開發(fā)團隊，致力于開發(fā)高壓和低開啟電阻的MOSFET工藝平臺與IGBT技術(shù)工藝。公司擁有一座專門制造功率器件產(chǎn)品的晶圓廠，透過靈活及可定制的制造平臺，可滿足各種客戶的特定需求。

(3)電源管理IC：公司的主要收入支撐之一，占比在 15%~20%波動。華虹宏力擁有先進的電源管理IC工藝平臺，主要包括高集成度的BCD(Bipolar，CMOS和DMOS)和CDMOS，技術(shù)制程在 0.13μm-0.8μm節(jié)點區(qū)間，可廣泛應(yīng)用于音頻功放、室內(nèi)外照明、電源管理、工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域，特別是DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC轉(zhuǎn)化器、LED照明和電池管理等產(chǎn)品。

公司在電源管理 IC 解決方案上布局廣泛，是目前國內(nèi)出貨量最大的 LED 驅(qū)動芯片代工廠家。提供最佳性價比的 0.5μm 700W BCD 工藝，同時成功研發(fā)了單獨超高壓結(jié)型廠效應(yīng)管(JFET)，具有耐高壓、覆蓋廣、 IP 面積小，充電電流穩(wěn)定等優(yōu)良特性。

(4)邏輯與混合信號：華虹宏力提供從0.5μm至90nm的標(biāo)準(zhǔn)邏輯與混合信號鋁制程工藝平臺，涵蓋200mm晶圓代工支持的所有先進工藝節(jié)，并提供微縮版的工藝制程，包括0.162μm、0.153μm及0.115μm。這些縮小化標(biāo)準(zhǔn)制程的優(yōu)勢在于客戶不需要更改設(shè)計，就可以獲得更多的芯片，從而降低生產(chǎn)成本。

(5)射頻：華虹宏力針對應(yīng)用于無線通信與有線光通信的射頻技術(shù)提供硅襯底全系列工藝解決方案，包括SiGe Bipolar/BiCMOS、RF LDMOS、與邏輯工藝兼容的RF CMOS、以及SOI RF CMOS等。

2018年，公司與華虹宏力、華虹半導(dǎo)體(無錫)有限公司、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金等簽訂合營及增資協(xié)議，共同開發(fā)無錫300mm晶圓生產(chǎn)線。

整個2019財年，全球半導(dǎo)體市場下挫12%，但華虹收入表現(xiàn)不凡，銷售收入創(chuàng)歷史新高，達(dá)9.326億美元，較上年度增長0.2%，主要得益于MCU、超級結(jié)、IGBT和通用MOSFET產(chǎn)品的需求增加，尤其是在中國、亞洲其他地區(qū)及歐洲;其他收入凈額 0.78億美元，比上年度上升 94.4%。

公司2019Q4來自于華虹8寸的銷售收入為2.354億美元，新建的無錫12英寸生產(chǎn)線于第四季度正式投產(chǎn)，實現(xiàn)740萬美元的出貨目標(biāo)，對公司未來發(fā)展意義重大。該公司位于無錫高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)內(nèi)，旨在打造集成電路研發(fā)和制造基地，一期項目(華虹七廠)投資25億美元，建設(shè)一條月產(chǎn)能4萬片的12英寸集成電路生產(chǎn)線，支持5G和物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的應(yīng)用。

聯(lián)電：產(chǎn)能利用率提升，資本開支增加

聯(lián)電2019年Q4收入、利潤表現(xiàn)強勁。實現(xiàn)營業(yè)收入418.5億新臺幣，同比上升17.83%，環(huán)比增長10.89%，是聯(lián)電的最高紀(jì)錄。歸屬于母公司股東的凈利潤總額為38.37億新臺幣，環(huán)比增長31.00%，每股普通股收益為0.33臺幣。公司實現(xiàn)毛利率為15.7%。與去年同期相比，全年收入為1482億新臺幣，同比小幅下降2%，這主要是由于2019年初的疲軟。

產(chǎn)能穩(wěn)步穩(wěn)定提升，下游需求穩(wěn)定。公司19Q4產(chǎn)能為224萬片，環(huán)比上升12%，比上季度增長23.3萬片，產(chǎn)能穩(wěn)步爬升。廈門工廠將成為28納米擴張的主要區(qū)域，到2021年中，廈門的月產(chǎn)能可能達(dá)到每月25,000個硅片。

預(yù)計2020Q1需求保持旺盛，無線通信和計算機外圍設(shè)備領(lǐng)域?qū)男枨蠓€(wěn)定。預(yù)計將從5G和IoT趨勢中產(chǎn)生額外的半導(dǎo)體需求受益，包括在邏輯和專用技術(shù)上盡早推出5G的機會和增加功率和射頻應(yīng)用。其次，公司受益于智能手機中OLED的普及，將推動OLED驅(qū)動器IC的發(fā)展。

2020Q1淡季不淡，資本開支提升。公司預(yù)計2020 Q1晶圓出貨量保持不變;平均售價 (美元) 持平;毛利率將維持在15%;公司代工廠產(chǎn)能將維持在90%;公司對代工廠2020年資本支出預(yù)算將達(dá)10億美元 (其中8英寸占比15%，12英寸占比85%)

財報分析：戰(zhàn)略選擇與投資回報率，追趕者的黎明

行業(yè)產(chǎn)能利用率逐季提高，需求持續(xù)旺盛。從行業(yè)產(chǎn)能利用率周期來看，本輪周期行業(yè)產(chǎn)能利用率的低點在2019Q1，2019年半導(dǎo)體制造業(yè)鏈條晶圓代工、封測產(chǎn)能利用率均逐季上行。晶圓代工行業(yè)上行，臺積電2019Q4法說會上，展望5G、HPC、IoT將持續(xù)拉動先進制程需求，同時8寸晶圓受益于指紋、PMIC及Driver IC需求推動。中芯國際受益于CIS、電源、指紋、藍(lán)牙和專用存儲平臺的增長，需求也非常緊張。

Capex進入上行期，臺積電、中芯國際紛紛增加資本開支。臺積電率先推進大幅資本開資提升，推進先進制程應(yīng)用。臺積電2018年資本開支104億美元，2019年提升會148億美元，2020年預(yù)期150~160億美元。中芯國際2019年資本開支22億美元，預(yù)期2020年上升至31億美元，開啟新一輪資本開支。

出貨量上，行業(yè)龍頭具有規(guī)模優(yōu)勢，中芯國際仍在追趕。從出貨量上看，臺積電2019Q4季度出貨量約282萬片等價12寸片，同比增長5%，環(huán)比增長3%;中芯國際2019Q4季度出貨量約60萬片等價12寸片。同比增長19%，畫筆增長2%。

行業(yè)龍頭憑借技術(shù)、規(guī)模優(yōu)勢，享受最高的均價。從單價上看，以等效12寸計價，臺積電2019Q4的代工價格高達(dá)3631美元/片，聯(lián)電的均價和中芯國際相似，約1400~1500美元/片。并且，二線廠商在沒有推進新技術(shù)的情況下，會承受價格下降的趨勢。

臺積電收入體量領(lǐng)跑行業(yè)，強者愈強。從收入規(guī)模上看，臺積電2019Q4收入為103.9億元美元，同時期內(nèi)聯(lián)電收入13.9億美元、中芯國際收入8.39億美元、華虹半導(dǎo)體2.43億美元。根據(jù)IC insight數(shù)據(jù)，2013~2019年晶圓代工行業(yè)復(fù)合增速為8.7%。2013~2019年，臺積電收入復(fù)合增速為9.5%，聯(lián)電為2.4%，中芯國際為7.1%。行業(yè)龍頭保持領(lǐng)跑優(yōu)勢。

從毛利率角度，行業(yè)龍頭臺積電毛利率保持在40~50%附近;集中于8寸片、較少進行先進產(chǎn)線和技術(shù)投資的世界先進、華虹毛利率在30%附近;中芯國際、聯(lián)電的產(chǎn)線技術(shù)分布較為全面，毛利率較低。世界先進、華虹的毛利率優(yōu)勢很大程度來自于較少的折舊金額。以折舊占收入的比重考慮，集中于8寸產(chǎn)線的世界先進、華虹在10~20%之間，而其他三家大多在40%左右及以上。

從全球晶圓代工廠研發(fā)費用率上看，中芯國際作為二線廠商里唯一的先進制程追趕者，在研發(fā)費用的投入比重上行業(yè)第一。2019年，中芯國際的研發(fā)費用為6.14億美元，占收入比重為19.7%。2019年臺積電研發(fā)投入為29.59億美元。

戰(zhàn)略選擇是晶圓代工行ROE路徑的重要影響因素。從ROE角度看，行業(yè)龍頭臺積電擁有最高的ROE，其次是專注于8寸片的世界先進和華虹半導(dǎo)體，再次才是聯(lián)電和中芯國際。我們認(rèn)為，晶圓制造行業(yè)最高的回報率是通過獲取領(lǐng)先技術(shù)獲得，放棄制程追趕、專注成熟產(chǎn)品也能夠獲得不錯回報期，而制程追趕者在一定期間內(nèi)會承受相對的財務(wù)壓力，但長期有望獲取更強的競爭力。

（編輯：郭璇）