不用EUV光刻機(jī)也能搞定，中芯國(guó)際(00981)7nm工藝細(xì)節(jié)曝光

本文來(lái)自微信公眾號(hào)“芯智訊”

2月14日上午，在中芯國(guó)際(00981)2019第四季度電話財(cái)報(bào)會(huì)議中，中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松博士和趙海軍博士介紹了近期事件對(duì)于公司的影響，并介紹了新的N+1和N+2工藝的進(jìn)展情況。

根據(jù)中芯國(guó)際昨天公布的2019年第四季度財(cái)報(bào)顯示，該季度營(yíng)收位8.39億美元，相比去年同期的7.88億美元增長(zhǎng)了6%，環(huán)比則增長(zhǎng)了2.8%;毛利為1.99億美元，相比去年同期的1.34億美元幾乎增長(zhǎng)了50%。

據(jù)了解，中芯國(guó)際原定的2019年全年增長(zhǎng)率目標(biāo)是達(dá)到20～21%，但由于產(chǎn)能利用率高、成本控制得好，增長(zhǎng)率高于預(yù)期。中國(guó)地區(qū)的業(yè)務(wù)增長(zhǎng)尤為強(qiáng)勁，第四季度來(lái)自中國(guó)地區(qū)的營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)11%，同比增長(zhǎng)了21%。

對(duì)于新的財(cái)年，趙海軍博士指出，受近期事件的影響，對(duì)業(yè)務(wù)和收入產(chǎn)生負(fù)面是肯定的事情。這個(gè)時(shí)候所有人都不能對(duì)疫情帶來(lái)的整體影響有一個(gè)清晰的了解，但基于客戶反饋，中芯國(guó)際第一季度的收入和毛利率都會(huì)很高，沒(méi)有任何影響。第二季度影響將會(huì)慢慢顯現(xiàn)，不過(guò)到第三季度，中芯國(guó)際有額外的能力、額外的技術(shù)平臺(tái)，可會(huì)補(bǔ)償?shù)诙径鹊膿p失。

在工藝方面，財(cái)報(bào)顯示2019年四季度量產(chǎn)的14nm工藝，已經(jīng)為中芯國(guó)際帶來(lái)了768萬(wàn)美元的營(yíng)收，不過(guò)在整個(gè)四季度的營(yíng)收占比僅不到1%。而中芯國(guó)際14nm工藝目前所面臨的主要問(wèn)題還是產(chǎn)能，目前中芯國(guó)際14nm工藝主要是在上海的中芯南方12英寸晶圓廠生產(chǎn)，去年底也就生產(chǎn)了1000片晶圓左右，產(chǎn)量很低。

不過(guò)，根據(jù)中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松的說(shuō)法，今年3月14nm月產(chǎn)能將達(dá)到4000片，7月將達(dá)到9000片，12月將達(dá)到15000片。

另外，中芯國(guó)際還將推出基于14nm改良的12nm工藝，據(jù)介紹，該工藝比14nm晶體管尺寸進(jìn)一步縮微，功耗降低20%、性能提升10%，錯(cuò)誤率降低20%，目前已經(jīng)進(jìn)入了客戶導(dǎo)入階段。

不過(guò)，即便是12nm工藝，也與目前臺(tái)積電、三星最先進(jìn)的5nm工藝相比，仍然有著2-3代的技術(shù)差距。因此，中芯國(guó)際也在加快研發(fā)更為先進(jìn)的工藝制程。

在這次的財(cái)報(bào)會(huì)議上，梁孟松博士也首次公開(kāi)了中芯國(guó)際的N+1、N+2工藝的情況。

梁孟松博士表示，中芯國(guó)際的N+1工藝和現(xiàn)有的14nm工藝相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。

雖然梁孟松博士并未明確這個(gè)N+1工藝是10nm工藝還是7nm工藝，但是從上面公布的邏輯米娜及縮小的數(shù)據(jù)來(lái)看，很可能是7nm工藝。而此前業(yè)內(nèi)也有消息稱中芯國(guó)際將跳過(guò)10nm工藝，直接研發(fā)7nm工藝。

不過(guò)，梁孟松博士也表示，N+1代工藝在功耗及穩(wěn)定性上跟7nm工藝非常相似，但性能不如，業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)是提升35%，所以中芯國(guó)際的N+1工藝主要面向低功耗應(yīng)用的。

而在N+1之后，中芯國(guó)際還會(huì)有N+2，這兩種工藝在功耗上表現(xiàn)差不多，區(qū)別在于性能及成本，N+2顯然是面向高性能的，成本也會(huì)增加。

至于推出的時(shí)間，在此前的財(cái)報(bào)當(dāng)中，梁孟松博士有提到會(huì)在2020年底開(kāi)始試驗(yàn)產(chǎn)能，而真正的量產(chǎn)可能要等到2021年了。

對(duì)于此前備受關(guān)注的中芯國(guó)際向ASML訂購(gòu)的EUV光刻機(jī)，由于“出口許可過(guò)期”交付被中止一事，中芯國(guó)際官方并未回應(yīng)，不過(guò)梁孟松博士表示，在當(dāng)前的環(huán)境下，N+1、N+2代工藝都不會(huì)用EUV工藝，等到設(shè)備就緒之后，N+2之后的工藝才會(huì)轉(zhuǎn)向EUV光刻工藝。

顯然，中芯國(guó)際的7nm工藝的路線規(guī)劃來(lái)看，與此前臺(tái)積電的路線差不多。臺(tái)積電也是一開(kāi)始選擇原有的DUV工藝來(lái)開(kāi)發(fā)7nm，去年才開(kāi)始推出基于EUV工藝的7nm+，不過(guò)光罩層數(shù)也比較少，而5nm節(jié)點(diǎn)才是充分利用EUV光刻工藝的，可以達(dá)到了14層EUV光罩。