小米10拉動(dòng)氮化鎵(GaN)概念股 三安光電漲超6%

采取該技術(shù)的小米GaN充電器,最高支持65W疾速充電,搭配小米10 Pro可實(shí)現(xiàn)50W快充。

2月13日,小米用純線(xiàn)上發(fā)布會(huì)的方式,發(fā)布年度高端旗艦手機(jī)小米10系列,還發(fā)布了一款重要搭檔產(chǎn)品:小米GaN充電器Type-C 65W。值得一提的是,該充電器采用氮化鎵(GaN)技術(shù),得到資本市場(chǎng)強(qiáng)烈關(guān)注。2月14日,相關(guān)概念股三安光電(600703.SH)開(kāi)盤(pán)大漲超6%。

氮化鎵(GaN)是一種廣為看好的新型半導(dǎo)體材料,具有超強(qiáng)的導(dǎo)熱效率、耐高溫和耐酸堿等優(yōu)點(diǎn),用在充電器中更是具有高效率低發(fā)熱、高功率小體積的優(yōu)點(diǎn),充電功率轉(zhuǎn)換也比傳統(tǒng)充電器更具優(yōu)勢(shì)。

采取該技術(shù)的小米GaN充電器,最高支持65W疾速充電,搭配小米10 Pro可實(shí)現(xiàn)50W快充。在引起行業(yè)內(nèi)外關(guān)注的同時(shí),拉動(dòng)了供應(yīng)鏈上下游產(chǎn)業(yè)的活力。

在發(fā)布會(huì)現(xiàn)場(chǎng)上,雷軍多次詳細(xì)介紹該項(xiàng)技術(shù)的先進(jìn)性。小米10系列以及GaN充電器的發(fā)布,刺激并激活了行業(yè)信心,得到行業(yè)分析師、資方及相關(guān)企業(yè)關(guān)注。相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈的工作人員稱(chēng),這都要感謝雷總。

當(dāng)天,多家券商電子行業(yè)研究人員,緊急組織電話(huà)會(huì)議,基于這款采用氮化鎵(GaN)技術(shù)充電器的發(fā)布,特邀行業(yè)專(zhuān)家,詳細(xì)解讀行業(yè)技術(shù)趨勢(shì)和投資機(jī)會(huì)。

行業(yè)人士分析,三安光電、聞泰科技(600745.SH)、富滿(mǎn)電子(300671.SZ)等標(biāo)的受到重點(diǎn)關(guān)注。其中,今年2月3日,三安光電還在投資者交流平臺(tái)上表示,公司目前氮化鎵(GaN)產(chǎn)能約2000片每月,產(chǎn)能還在增加。

市場(chǎng)普遍認(rèn)為,氮化鎵(GaN)是未來(lái)最具增長(zhǎng)潛質(zhì)的化合物半導(dǎo)體,與GaAs和InP等高頻工藝相比,氮化鎵(GaN)器件輸出的功率更大;與LDCMOS和SiC等功率工藝相比,氮化鎵(GaN)的頻率特性更好。

同時(shí),市場(chǎng)還預(yù)期,隨著5G網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的日益臨近,將從2019年開(kāi)始為 GaN器件帶來(lái)巨大的市場(chǎng)機(jī)遇。相比現(xiàn)有的硅LDMOS(橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù))和GaAs(砷化鎵)解決方案,GaN器件能夠提供下一代高頻電信網(wǎng)絡(luò)所需要的功率和效能。預(yù)計(jì)到2025年,GaN還將主導(dǎo)射頻功率器件市場(chǎng),搶占基于硅LDMOS技術(shù)的基站PA市場(chǎng)。

采用氮化鎵材料后,小米充電器USB-C 65W的體積比小米筆記本標(biāo)配的適配器縮小了48%,攜帶更方便,搭配小米10 Pro可提供最高50W充電功率,45分鐘即可充入100%。

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