智通財(cái)經(jīng)APP訊,華虹半導(dǎo)體(01347)公布2019年中期業(yè)績(jī),銷售收入同比由4.4億美元增長(zhǎng)2.5%至4.508億美元,毛利率同比由32.9%下降1.3個(gè)百分點(diǎn)至31.6%,稅前溢利同比由9920萬美元增加6.3%至1.054億美元,母公司擁有人應(yīng)占期內(nèi)溢利同比由8590萬美元增加5.7%至9082.6萬美元,基本每股盈利0.071美元,不派息。
公告稱,收入增加主要得益于平均銷售單價(jià)上升。
分立器件整體需求保持穩(wěn)定,公司DT(深槽)-SJNFET產(chǎn)能創(chuàng)新高;同時(shí),主要源自產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的優(yōu)化,尤其是更多的高壓功率分立器件,如DT(深槽)-SJNFET及 IGBT產(chǎn)能配比的增加,公司2019年上半年平均售價(jià)環(huán)比與同比均有所增加。
因應(yīng)未來智能控制應(yīng)用趨勢(shì)造成MCU需求的增加,公司持續(xù)推動(dòng)對(duì)嵌入式非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的優(yōu)化與業(yè)務(wù)拓展。公司2019年上半年嵌入式閃存MCU出貨及平均單價(jià)同比均增長(zhǎng);同時(shí),0.11微米嵌入式閃存MCU NTO(新產(chǎn)品)數(shù)量也持續(xù)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。
華虹無錫300mm晶圓制造工廠于2018年3月動(dòng)工后進(jìn)展順利,2019年第二季度潔凈室已經(jīng)通過認(rèn)證,大部分的設(shè)備已于第二季移入裝機(jī)。55納米邏輯與射頻CMOS技術(shù)、90納米嵌入式閃存技術(shù)與90納米BCD技術(shù)前期研發(fā)順利;同時(shí),根據(jù)市場(chǎng)研究與技術(shù)評(píng)估情況,通過了開發(fā)12寸功率器件工藝方案,確定了華虹無錫12寸項(xiàng)目IC + Power的規(guī)劃。12寸功率器件工藝、產(chǎn)能與技術(shù)的提升可使公司更好的服務(wù)國(guó)內(nèi)與海外客戶,擴(kuò)大公司在功率器件,特別是中高壓功率器件的行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
展望未來,公司200mm晶圓的嵌入式閃存MCU、射頻IC、功率分立器件的業(yè)務(wù)持續(xù)發(fā)展,以及300mm晶圓制造工廠的55納米邏輯與射頻CMOS技術(shù)將率先在第四季度進(jìn)入量產(chǎn)。公司將繼續(xù)實(shí)施200mm及300mm晶圓差異化技術(shù)的企業(yè)發(fā)展策略,能夠?yàn)榭蛻籼峁└鼉?yōu)質(zhì)的服務(wù)。