中芯國際(00981)14納米制程良率達95%，距離2019年量產(chǎn)再進一步

本文來自“Technews科技新報”，作者為“Atkinson”。

根據(jù)中國供應鏈傳出的消息指出，中國最大的晶圓代工廠中芯國際（00981），目前最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段，其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達到95%的水準。因此，距離2019年正式量產(chǎn)的目標似乎已經(jīng)不遠了。

據(jù)了解，根據(jù)中芯國際最新的財報顯示，目前中芯國際最先進的制程為28納米。但是以2018年第1季的財報數(shù)字來看，28納米占其營收不過 3.2%，相較聯(lián)電、英特爾等先進制程發(fā)展較慢的廠商來說，落后的一個世代以上，更罔論與先進制程開發(fā)進度較快的臺積電、格羅方德、三星等企業(yè)已經(jīng)準備切入 7 納米制程相較，更是足足落后3個世代以上。

而為了追趕這樣的落差，中芯國際不但在 2017 年底延攬前三星電子及臺積電的高層梁孟松來擔任聯(lián)席首席CEO的職務。主要就是希望借由他過去的經(jīng)驗，指導中芯國際在發(fā)展 14 納米 FinFET 制程上的進程，使中芯國際的 14 納米 FinFET 制程能在 2019 年達成量產(chǎn)的目標之外，還在 2018 年初宣布，將聯(lián)同兩大政府產(chǎn)業(yè)基金共同投資 102.4 億美元，以加快 14 納米及以下先進制程研發(fā)和量產(chǎn)計劃，最終達成每月量產(chǎn) 3.5 萬片的目標。如今，在中芯國際的 14 納米 FinFET 制程達到良率 95% 的情況下，等于是向目標又邁進了一大步。

事實上，隨著 28 納米 Poly/SiON 制程技術成功量產(chǎn)，再加上 2018 年 2 月成功試產(chǎn)客戶采用 28 納米 High-K/Metal Gate(HKMG)制程技術的產(chǎn)品，試產(chǎn)良率高達 98% 之后，與中國臺灣地區(qū)的聯(lián)電有著緊密合作關系的廈門聯(lián)芯，在 28 納米節(jié)點上的技術快速成熟。而這樣的消息對當前代表中國晶圓代工龍頭的中芯來說，因為在 28 納米 HKMG 制程良率一直不如預期，而且在過去 14 納米 FinFET 制程上又無法突破的情況下，幾乎要拱手讓出中國晶圓代工龍頭的位置。如今，在 14 納米 FinFET 制程技術上取得了突破，并向量產(chǎn)目標邁開腳步，才讓中芯國際再保住龍頭的位置。

此外，除了對內(nèi)與聯(lián)芯的競爭外，中芯國際在 14 納米 FinFET 制程上的突破，也象徵著拉近了與國際一線晶圓代工大廠的距離。除了臺積電、格羅方德、三星都在積極布局 7 納米制程，并且最快 2018 年底前就能有產(chǎn)品出現(xiàn)之外，包括聯(lián)電、英特爾都還在 14 納米節(jié)點的位置上。尤其是英特爾，在 14 納米制程上，預計還將使用到 2019 年后。在這方面來說，中芯國際未來一但 14 納米 FinFET 制程正式進入量產(chǎn)，則中國市場上目前交由海外代工的產(chǎn)品，就有可能落到中芯國際的手上進行代工。對中芯國際來說會是利多，但對其他的競爭對手而言就可能不是太好的消息。

根據(jù)中國業(yè)內(nèi)消息人士指出，雖然過去曾有中國大基金擬向格羅方德購買技術，強化中芯國際 14 納米 FinFET 制程的消息。但是，這次似乎是梁孟松及其他所帶領的團隊發(fā)揮的作用，進一步將中芯國際的 14 納米制程拉上。只是，消息人士也指出，這事情光靠梁孟松一人并不可能辦到，而是梁孟松過去從中國臺灣地區(qū)及韓國帶走的相關人員一起努力的結(jié)果。所以，中芯國際現(xiàn)在已經(jīng)達到了 14 納米研發(fā)成功的階段，下一階段就必須看14納米制程能為公司帶來多少效益了。(編輯：胡敏)