日韓中的半導體“三國殺”

本文來自云鋒金融公眾號(id：majikwealth)，作者翁放。經(jīng)授權(quán)發(fā)布，不構(gòu)成具體投資建議。

日本

起

1963年，日本的集成電路產(chǎn)業(yè)似乎走到了一個死胡同。

在此之前的十年，由于美國“援日抗蘇”的大方針，日本坐收漁翁之利，以極低廉的價格獲得了美方大量先進技術(shù)的授權(quán)。日本的電子產(chǎn)業(yè)越過了軍用，直接在民用領(lǐng)域飛速發(fā)展。

日本政府在上世紀五十年代做了兩件事，一個是在通商產(chǎn)業(yè)?。ㄏ喈斢谥袊墓ば挪浚┑紫略O(shè)立了工業(yè)技術(shù)院，完全由財政撥付經(jīng)費，負責推動日本整體產(chǎn)業(yè)技術(shù)的發(fā)展；另一個是頒布了電子工業(yè)振興臨時措置法(電振法57-71年)，限制外資進入日本，以保護本國市場，同時引導日本企業(yè)向電子行業(yè)進軍。

其實那時候日本的晶體管產(chǎn)業(yè)已經(jīng)發(fā)展的相當紅火。1953年，SONY（當時還叫日本東京通信工業(yè)株式會社）的創(chuàng)始人盛田昭夫耗資2.5萬美元從美國西屋電氣引進了晶體管技術(shù)后，用了三年時間研發(fā)推出了袖珍收音機。

這個很能體現(xiàn)日本人心思的產(chǎn)品一炮走紅，晶體管也找到了一個絕佳的商業(yè)用途。

東京通信工業(yè)株式會社（SONY前身）推出的第一款袖珍晶體管收音機TR-55，圖片來源：搜狐新聞

在此之后，隨著規(guī)?；a(chǎn)，日本的晶體管價格明顯下降。1953年SONY試制晶體管時一顆還要11美元，到1958年已經(jīng)降到0.5美元。到了1959年，包括SONY、NEC、三洋、東芝在內(nèi)的日本企業(yè)一年生產(chǎn)了8650萬顆晶體管，這一規(guī)模已經(jīng)超過了技術(shù)的發(fā)源地美國。

為什么日本的晶體管產(chǎn)業(yè)可以發(fā)展的這么快？說來是一個中國人都很熟悉的原因。

當時的日本和美國相比，最大的優(yōu)勢就是人工便宜——東京電子廠的日本工人月薪還不到30美元，而美國技術(shù)工人一個月要拿380美元。

不過這時候的美國并不在乎誰生產(chǎn)的規(guī)模大，因為它正處于產(chǎn)業(yè)技術(shù)日新月異的突破期。

1959年2月，美國德州儀器（TI）的工程師杰克基爾比制作了世界上第一塊集成電路，他也因此在2000年獲得了諾貝爾物理學獎。以西屋電氣(Westing house)為代表的美國企業(yè)向世界宣布：“晶體管時代已經(jīng)過去，以集成電路為代表的半導體技術(shù)才是未來的主流?！?/p>

因此，雖然晶體管的產(chǎn)業(yè)規(guī)模做到了世界第一，雖然在政府部門的技術(shù)援助下，日本NEC公司也在1958年推出了第一臺完全國產(chǎn)化的晶體管計算機NEAC-2201，但當日本政府驕傲的把它運到巴黎萬國博覽會上進行展出時，卻發(fā)現(xiàn)這個產(chǎn)品已經(jīng)out了。

這讓日本人受到了很大的刺激。之前政府還只是提供技術(shù)援助，研發(fā)主要依靠企業(yè)，而在此之后就迅速升級為“官產(chǎn)學”三位一體進行技術(shù)攻關(guān)。

舉個例子，通產(chǎn)省工業(yè)技術(shù)院的電氣試驗所在1960年底利用逆向工程的方式研發(fā)出日本第一塊晶體管集成電路后，東京大學工學部的教授們旋即與NEC公司展開合作，對晶體管集成電路進行基礎(chǔ)性的研究。

參與研制晶體管集成電路的日本通產(chǎn)省工業(yè)技術(shù)院電氣試驗所骨干成員，左起，傳田精一(研究員，東北大學工學博士)、垂井康夫(半導體部晶體管研究室主任)、井上ルミ子、鳴神長昭。圖片來源：新浪博客

然而日本的科學家們很快就發(fā)現(xiàn)，逆向工程可以幫助實驗室研發(fā)一塊集成電路，卻無法幫助工廠批量生產(chǎn)。工藝技術(shù)，從那時起就是橫亙在半導體實驗室和工廠之間的一道天塹。

不過在當年，解決日本人難題的辦法正好掌握在美國人手中。美國著名的仙童半導體已經(jīng)有了一套成型的“平面技術(shù)”生產(chǎn)工藝，可以幫助實現(xiàn)硅晶體管的批量生產(chǎn)。

更妙的是，1962年仙童公司決定以收取技術(shù)授權(quán)費的方式向其他企業(yè)傳播這一制造工藝——已經(jīng)苦苦等待好幾年的日本NEC公司立馬把錢拍在了仙童CEO的桌子上。

解決工藝問題后，日本NEC的集成電路產(chǎn)量暴增。1961年只有50塊，1962年增長至1.18萬塊，1965年達到5萬塊。到1970年，日本NEC的集成電路產(chǎn)量已經(jīng)達到3998萬塊。

不過，NEC取得這一技術(shù)授權(quán)之后并沒能獨享，日本政府要求它將其開放給日本的其他企業(yè)。盡管NEC有一百個不情愿，但由于自己的技術(shù)研發(fā)還要仰仗政府的投入，因此也只能遵命行事。三菱、京都電氣等公司趁此機會快速切入，日本的半導體產(chǎn)業(yè)正式起航。

承

在半導體產(chǎn)業(yè)啟程之后，日本政府又做了兩件事情：

第一個是“明目張膽”的貿(mào)易保護。60年代初，德州儀器看到日本電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，想要設(shè)立獨資子公司分一杯羹，卻在日本政府那里吃了閉門羹。經(jīng)過四年的軟磨硬泡，通產(chǎn)省終于松了口，卻提出了極為苛刻的條件——拿核心技術(shù)來換市場。

這個換，和改革開放后中國的“拿市場換技術(shù)”形同而神不同。

日本政府要求德州儀器先和索尼設(shè)立股權(quán)對半分的合資公司——凡是德州儀器獨資子公司銷售的產(chǎn)品，在合資公司里也必須有。其次，要在三年內(nèi)向日方公開與產(chǎn)品相關(guān)的所有技術(shù)專利。最后，德州儀器獨資公司的產(chǎn)品在日本市場的占有率不得高于10%。

三管齊下，通產(chǎn)省為了拿到技術(shù)的同時保護日本市場，可以說是相當處心積慮了。

這僅僅是當年日本政府保護本土電子產(chǎn)業(yè)的一個縮影。為了防止美國企業(yè)的沖擊，通產(chǎn)省還只允許極少數(shù)的電子元器件進口，而對200日元以下的中低端芯片元件進口設(shè)立了很高的關(guān)稅，甚至采取了進口許可證政策。

第二個是“深謀遠慮”的政府主導。70年代的日本半導體產(chǎn)業(yè)遭遇了兩個重大事件的沖擊：一個是在美國的政治壓力下，1974年日本被迫放寬了計算機和電子元件的進口限制。當時在技術(shù)上有著碾壓優(yōu)勢的“藍色巨人”IBM公司如入無人之地，橫掃日本各大企業(yè)，僅僅用了一年時間就占領(lǐng)了日本計算機市場40%的份額。

另一件事也和IBM 公司有關(guān)，其內(nèi)部的“Future System計劃”文件曝光，透露出IBM要在1980年之前開發(fā)出1M的DRAM內(nèi)存芯片用于下一代電腦。要知道，當時日本企業(yè)還停留在1K DRAM的技術(shù)層次，這之間的差距不是十倍，也不是一百倍，而是1024倍。 

日本人再次被深深的刺激了。為了應對沖擊，日本政府在1976到1979年期間組織了一場奠定之后在半導體領(lǐng)域地位的關(guān)鍵行動——超大規(guī)模集成電路的共同組合技術(shù)創(chuàng)新行動，簡稱VLSI項目。

1977年5月5日，日本VLSI技術(shù)研究所宣布研制成功可變尺寸矩形電子束掃描裝置。圖片來源：新浪博客

這一項目以通產(chǎn)省提出的“下世代電子計算機用超LSI研究開發(fā)計畫”為中心，以富士通、日立、三菱、日本電氣、東芝五大公司為骨干，聯(lián)合日本工業(yè)技術(shù)研究院電子綜合研究所和計算機綜合研究所組成“超LSI研究開發(fā)政策委員會”，投資規(guī)模超過720億日元（約合2.4億美金）。

這個金額有多大？作為比較，當年中國的外匯儲備總量只有1.8億美金。

VLSI 項目成為日本“官產(chǎn)學”一體化的集大成者。它將五家平時互相競爭的計算機公司以及政府和高等院校的研究人才組織到了一起。從管理架構(gòu)上來看，日立公司社長吉山博吉擔任理事長，通產(chǎn)省的根橋正人負責業(yè)務領(lǐng)導，來自東京工業(yè)大學的垂井康夫則擔任研究所長。這意味著平時在技術(shù)研發(fā)上相互提防的企業(yè)有了充分交流的渠道，而學術(shù)研究和商業(yè)應用之間的轉(zhuǎn)換通道也變得更加通暢。

1980年，日本宣布為期四年的“VLSI”項目順利完成，期間申請實用新型專利1210件，商業(yè)專利347件。更重要的是，到了64K DRAM大規(guī)模集成電路時代，富士通公司的研發(fā)進度開始與IBM、德州儀器等美國企業(yè)并駕齊驅(qū)，而到了256K DRAM時代，美國才剛研制出來，日本富士通和日立的產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)上市。

靠著政府和產(chǎn)業(yè)界大規(guī)模的投入，日本一步步抹平了在半導體領(lǐng)域和美國的技術(shù)差距。

轉(zhuǎn)

上世紀80年代是日本在半導體行業(yè)的全盛時期。

一方面有成本和可靠性上的優(yōu)勢，一方面有崛起的汽車和個人電腦行業(yè)做應用場景，日本企業(yè)開始進入投資-量產(chǎn)-再投資的良性循環(huán)，半導體對美國出口額從1979年的4400萬美元暴增至1984年的23億美元。

而反觀美國，由于在石油危機后經(jīng)濟陷入停滯，企業(yè)主導的半導體領(lǐng)域投資逐漸減少，這成為在技術(shù)和工藝上被日本全面超越的關(guān)鍵原因。

莫斯泰克被收購，英特爾巨額虧損宣布退出DRAM領(lǐng)域，德州儀器也被富士通奪去了行業(yè)老大的位置。到了1989 年，日本芯片在全球的市場占有率已經(jīng)達到53%，而美國僅剩37%。

1990年全球十大半導體企業(yè)，日本企業(yè)（灰色）占據(jù)六席，資料來源：CNKI，云鋒金融整理

不過成也蕭何敗也蕭何，日本半導體行業(yè)盛極而衰的轉(zhuǎn)折點同樣是因為投資。

由于之前的巨額資本開支，日本廠商在1985年之后有了海量產(chǎn)能，這讓當時商業(yè)應用還不夠多的芯片價格出現(xiàn)暴跌。日企將美國對手打趴下的同時，卻也“殺敵一千自損八百”，讓自己的盈利能力受到了巨大影響。

和之后韓國半導體產(chǎn)業(yè)的寡頭壟斷不同，日本的產(chǎn)業(yè)模式是由幾家巨頭齊頭并進，在盈利受損的情況下，出于股東權(quán)益的考慮，日企不得不減少了對半導體的技術(shù)設(shè)備投資。

1985年，日本砍掉近40%的設(shè)備更新投資和科技紅利投入。隨后兩年，日本企業(yè)的有效研發(fā)投入更是出現(xiàn)了接近80%的斷崖式下跌。

火上澆油的是，此時日本已經(jīng)進入了全面泡沫時代，資金瘋狂涌入房地產(chǎn)和金融市場，不再青睞半導體這樣需要大量前期投資卻短時間看不到成效的實體產(chǎn)業(yè)。加上廣場協(xié)議之后日元迅速升值，半導體產(chǎn)品出口的競爭力受到了極大影響。

韓國的三星、現(xiàn)代、LG等廠商在此階段通過加大投資彎道超車，迅速趕超日本。1992年，三星將NEC擠下了DRAM產(chǎn)業(yè)世界第一的寶座，日本半導體產(chǎn)業(yè)的輝煌結(jié)束了。

合

在上世紀90年代以來半導體價格起起落落的周期中，日本企業(yè)一方面要消化“失去二十年”帶來的經(jīng)濟衰退影響，一方面還要鼓起勇氣追加投資，以便和年輕氣盛的韓國三星，以及借CPU打了翻身仗的美國英特爾競爭，這成為了一個幾乎不可能完成的任務。

亞洲金融危機期間的行業(yè)衰退徹底打垮了日本的半導體企業(yè)。富士通在1999年宣布退出DRAM芯片市場，曾經(jīng)獨霸天下的NEC、日立、三菱則將各自的DRAM部門合并成立爾必達(Elpida)。

然而爾必達從一出生便帶著滿身傷病，不但管理混亂、職位冗余，甚至在工藝、設(shè)備等生產(chǎn)供應鏈上都沒有實現(xiàn)統(tǒng)一兼容，完全無法與集權(quán)式管理的三星競爭。

2012年2月，當爾必達向東京地方法院申請破產(chǎn)保護時，公司負債總額已高達4480億日元(約合89.6億美元)，是日本史上最大的破產(chǎn)案件。2012年7月，美國的鎂光（Micron）以區(qū)區(qū)25億美元的低價收購爾必達。

歷史就是這么愛開玩笑，兜兜轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)幾十年，最終日本DRAM產(chǎn)業(yè)的遺珠還是回到了美國人的手中。而日本的半導體產(chǎn)業(yè)，從此收縮到了上游的材料領(lǐng)域割據(jù)為王。

韓國

如果說日本半導體行業(yè)的崛起依靠的是初期從美國的技術(shù)引進加上政府“官產(chǎn)學”三位一體的規(guī)劃和投資能力，那么韓國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展路徑更像是這個故事的加強版——更密集的技術(shù)援助，更“無賴”的政府保護和更強勢的企業(yè)投資。

“棋子”韓國

韓國半導體產(chǎn)業(yè)的起步比美日要晚上十幾年。

當美國和日本在上世紀六十年代初已經(jīng)先后進入晶體管集成電路時代時，韓國的樸正熙剛剛通過軍事政變上臺，整個國民經(jīng)濟還處于崩潰的邊緣。

因此，和日本從一開始就采取嚴格的貿(mào)易保護政策呵護本土電子產(chǎn)業(yè)不同，韓國政府在發(fā)展伊始采取的是拿來主義——只要你愿意給，不管什么條件我都接受。

在這一階段，韓國政府不但放寬了《外國資本引進法》，還謀求加入《關(guān)貿(mào)總協(xié)定》。1966年，當年向日本授權(quán)平面技術(shù)生產(chǎn)工藝的美國半導體巨頭仙童公司向韓國政府提出了建廠要求。但仙童的條件十分苛刻，不但要求獨資經(jīng)營，而且還要求政府允許獨資公司的產(chǎn)品在韓國市場銷售。盡管如此，韓國政府還是咬牙同意了。

有了這一先例，摩托羅拉、東芝等電子巨頭紛紛效仿，韓國的芯片組裝廠如雨后春筍般建立了起來。這些半導體跨國巨頭采取來料加工的模式，利用韓國的廉價勞動力組裝美國、日本的零部件再轉(zhuǎn)出口，從中賺取了不菲的利潤。

幾十年后，韓國巨頭們把同樣的模式用在了中國身上。海力士拿著韓國利川工廠淘汰下來的8寸晶圓設(shè)備，依靠中國的資金、土地、工人和市場，只用了3億美金就撬動了20億美元的投資，順利地在無錫建起了中國當時最大的晶圓廠。

由無錫市政府負責投資建設(shè)，耗資3億美金的海力士廠房，建好后再返租給韓國海力士使用，圖片來源：海力士官網(wǎng)

但當經(jīng)濟逐漸企穩(wěn)復蘇后，韓國政府慢慢露出了“無賴”的一面。

1969年，當時還在經(jīng)營紡織、化肥、制糖這些傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的三星財團，在韓國貿(mào)工部支持下開始為日本三洋代工生產(chǎn)家電，包括12英寸黑白電視機、洗衣機、冰箱等，借機進入了電子產(chǎn)業(yè)。  

等到1974年三洋完成了對三星的技術(shù)轉(zhuǎn)移后，韓國政府立刻修改了外資的投資法規(guī)，不再對合資企業(yè)開放本國市場，從而迫使三洋等日資企業(yè)停止了在韓投資，全面退出韓國市場。

企業(yè)與企業(yè)，國家與國家之間的競爭從來就不是“潔白無瑕”的，法規(guī)既然由國家制定，就會以最符合當時國家利益的形式出現(xiàn)。

韓國人無疑深諳此道。

不過政府只能算是韓國企業(yè)進入電子行業(yè)的引路人，美國才是韓國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的貴人。

當年三星的太子李澤熙從美國回來后，花了十年時間試圖進軍DRAM行業(yè)，卻一直找不到法門。直到1983年，三星宣布在京畿道器興(Giheung)建立第一個半導體工廠，卻意外獲得了美國的支援。

原因很簡單。彼時，美國的半導體行業(yè)已經(jīng)被日本同行打得潰不成軍，從政府到企業(yè)都急需一支外援來幫他們打一場漂亮的反擊戰(zhàn)。既有充足的意愿和政府的支持，又有廉價勞動力的韓國企業(yè)就成了首選。

在美國的扶持下，韓國的半導體產(chǎn)業(yè)直接從16K DRAM起步，僅僅用了3年時間就一口氣掌握了16K到256K DRAM的關(guān)鍵技術(shù)。這一階段，美國對于韓國的援助規(guī)模超過了20億美金。

當然，拿到技術(shù)只是第一步，如何消化理解和再創(chuàng)造才是關(guān)鍵。這時，韓國人的民族自豪感開始起作用。

三星在硅谷設(shè)立的研發(fā)團隊專門招募韓裔的美國工程師，不少人在愛國情懷的感召下，放棄自己多年的事業(yè)，轉(zhuǎn)身回到韓國，夜以繼日地投入研發(fā)當中。其有一個叫陳大濟的年輕人謝絕了IBM公司的再三挽留，義無反顧地加入了三星，理由就是“真想贏日本一次”。這個年輕人后來成了三星電子的CEO。

在這樣一支戰(zhàn)斗隊伍的配合下，三星僅用了一年時間就消化了64K DRAM技術(shù)并開始批量生產(chǎn)，而等到后來鎂光為了應對日本重壓，將256K DRAM技術(shù)也授權(quán)給韓國企業(yè)時，進入量產(chǎn)模式的時間又被壓縮了一半。

僅此一役，三星就將自己與美國日本的技術(shù)差距由4年縮短到了2年。

此時，韓國政府也全力配合，將日本“官產(chǎn)學”三位一體的研發(fā)模式有樣學樣，由韓國電子通信研究所(KIST)牽頭，聯(lián)合三星、LG、現(xiàn)代與韓國六所大學，一起對4M DRAM進行技術(shù)攻關(guān)。該項目持續(xù)了三年，研發(fā)費用高達1.1億美元，其中韓國政府承擔了57%。

1989年，三星成功量產(chǎn)4M DRAM，和日本幾乎同時投放市場。這時離韓國正式進軍半導體產(chǎn)業(yè)，僅僅過去了六年。

用了8年時間，韓國的DRAM產(chǎn)業(yè)完成了對日本的超越，資料來源：云鋒金融整理

“賭徒”三星

盡管韓國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)家史沾了美國大兵的光，但在之后的崛起過程中，美國漸漸失去了對韓國企業(yè)的控制。這其中的關(guān)鍵因素，就是三星這家獨一無二的“企業(yè)”。

在韓國，三星的影響力可謂“一手遮天”。這家公司每年的營收占了韓國GDP的20%，有人調(diào)侃，韓國人一生有三件事情無法避免——死亡、稅收和三星。

在半導體行業(yè)，三星最出名的就是其拼命三郎式的“反周期投資”策略。

在之前介紹的日本半導體產(chǎn)業(yè)史中，上世紀80年代后半段是行業(yè)的低潮期。三星在1984年推出64K DRAM時，恰逢內(nèi)存價格從每片4美元暴跌至每片30美分，由于三星的生產(chǎn)成本是1.3美元，所以每賣一片內(nèi)存，公司就要虧掉1美元。3年時間公司損失了3億美元，這足以讓三星電子的股權(quán)資本金全部歸零。

然而和當時黯然退出DRAM行業(yè)的英特爾，以及大幅削減資本開支的NEC等日企不同，三星選擇了逆勢而上，像賭徒般瘋狂加碼。

“越是困難，就越要加大投資?！边@是李澤熙的斗志體現(xiàn)，而三星集權(quán)式的管理結(jié)構(gòu)成全了他。

好在半導體行業(yè)的周期并不長，1987年的日美半導體協(xié)議就讓DRAM內(nèi)存價格回升，三星活了過來。

韓國半導體產(chǎn)業(yè)的投資從此風起云涌。從1990年開始，三星建立了26個研發(fā)中心，LG建立18個，現(xiàn)代建立14個，對半導體領(lǐng)域的研發(fā)投入從1980年的850萬美金飆升至1994年的9億美金。在專利技術(shù)方面，1989年韓國的專利技術(shù)應用有708項，1994年已經(jīng)上升到3336項。

不過更能體現(xiàn)三星投資特色的，還是2008年金融危機時的殊死一戰(zhàn)。

彼時，DRAM價格暴跌九成，就在全行業(yè)陷入虧損，眾廠商哀鴻遍野時，三星卻做出一個令人瞠目結(jié)舌的決定：將三星電子上一年的利潤全部用于擴大產(chǎn)能，故意擴大行業(yè)的虧損。

很快，DRAM的價格就跌破材料成本，工廠全面陷入停工。最先倒下的是德國巨頭奇夢達，由于資金鏈斷裂，于2009年初破產(chǎn)。日本的爾必達在苦苦支撐數(shù)年后被美光收購。

這一役過后，整個DRAM行業(yè)只剩下三星、SK海力士和美光三大玩家。其中，三星和SK海力士兩大韓國巨頭獨占75%的份額，成為名副其實的行業(yè)霸主。

為什么三星可以如此不顧產(chǎn)業(yè)周期的進行投資？為什么它又每次都能熬過最艱難的時期，死里逃生成為最后的贏家？

因為在它背后，有幅員遼闊的需求市場。不，我們說的不是“彈丸之地”的韓國。

1986年，在三星電子的股權(quán)資本金幾乎全部虧光的關(guān)鍵時刻，美國政府依據(jù)《日美半導體協(xié)議》對日本人的約束，對韓國企業(yè)打開了當年全球最大的消費市場——美國國內(nèi)市場。韓國半導體企業(yè)迅速填補了日企留下的空白，占據(jù)了30%的美國DRAM市場份額。一年后，三星扭虧為盈，度過最危險的時刻。

十幾年后，向韓國半導體企業(yè)打開的市場變成了中國。除了無錫海力士工廠的案例讓其安然度過金融危機以外，三星在“韓日NAND FLASH戰(zhàn)斗”中的勝利也同樣要部分歸功于中國市場。

2011年，三星與日本東芝在NAND FLASH領(lǐng)域的全球競爭如火如荼。當時三星在韓國和美國共有4座NAND FLASH 12英寸晶圓廠，年產(chǎn)能450萬片晶圓。為了拉開與東芝的差距，三星決定繼續(xù)追加投資新建工廠。

經(jīng)過談判，三星最終選擇落戶中國西安，項目總投資300億美金，分三期建設(shè)。要知道，2011年三星半導體的全球銷售金額不過才285億美金，而之所以敢在西安項目上砸下重金，和地方政府提供的巨額優(yōu)惠政策是分不開的。

當三星的西安項目落成之后，其巨大的產(chǎn)能優(yōu)勢讓東芝唯有放棄了存儲部門，韓國人兵不血刃的拿下了這場戰(zhàn)爭。

可以說，三星“賭徒式”的反周期投資背后，是對投資和需求兩端的精準把握。韓國人深刻領(lǐng)悟了這么一個道理——

“半導體產(chǎn)業(yè)是靠巨額投資拼出來的，而投資卻是要靠具有戰(zhàn)略縱深的需求市場托起來的”。

中國臺灣

要問誰對中國市場的重要性理解最深刻，韓國半導體行業(yè)未必比得過臺灣。然而，如果說韓國半導體產(chǎn)業(yè)是“政府意志+技術(shù)援助+企業(yè)投入”一整套日版故事的加強版，那么臺灣就可以算是這個故事的反面教材。

政府意志：投入不足，選擇錯誤

上世紀七十年代初，臺灣的電子工業(yè)曾經(jīng)和同期的韓國一樣，僅僅是美日企業(yè)的出口加工地。彼時，集成電路還只是臺灣大學的一門課程，沒有人想到小小的臺灣可以在半導體產(chǎn)業(yè)有所作為。

轉(zhuǎn)折點發(fā)生在1975年，政府意志將臺灣推上了半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的快車。

時任“臺灣省經(jīng)濟部長”的孫云璇在訪韓時看到韓國政府高薪聘請美國韓裔研究人員回國發(fā)展電子工業(yè)，受到了極大的觸動。韓國可以做到的，為什么臺灣不可以？

回來后，他便主張成立了臺灣工業(yè)技術(shù)研究院（簡稱工研院），下設(shè)電子所，并選派了一批相關(guān)學科的碩士和博士工程師到美國RCA公司學習集成電路的設(shè)計和制造技術(shù)。

為什么是RCA？因為彼時在這家公司擔任微波研究室主任的，正是臺灣人潘文淵。潘還幫助臺灣以4.89億元新臺幣（約1287萬美元）的價格購入了RCA的整條3英寸晶圓生產(chǎn)線。這讓臺灣在這一規(guī)格上的建廠速度領(lǐng)先了韓國一年時間。

而當年送去美國學習技術(shù)的那群年輕人歸來后，成為臺灣集成電路行業(yè)的頂梁柱，配合著臺灣省政府三個階段的“電子工業(yè)研究發(fā)展計劃”，先后孕育了聯(lián)華電子、臺積電、臺灣光罩、世界先進等多家集成電路制造公司。

1976年，美國佛羅里達州，臺灣工研院送到美國RCA接受3英寸晶圓廠培訓人員。左起王國肇（創(chuàng)惟科技董事長）、林緒德、楊丁元（華邦電子創(chuàng)辦人）、蔡明介（聯(lián)發(fā)科創(chuàng)辦人）、萬學耘、章青駒（世界先進董事長）、謝錦銘、謝開良、劉長誠。圖片來源：新浪微博

然而臺灣政府在將這些企業(yè)送上半導體產(chǎn)業(yè)的“快車”后，卻接連犯錯，最終讓五百億美元的投資、兩萬多名科技精英的心血在DRAM產(chǎn)業(yè)上打了水漂。

第一，日韓的歷史已經(jīng)證明，要想在半導體芯片產(chǎn)業(yè)擁有立足之地，獨立自主的核心技術(shù)體系是不可或缺的底氣，而實現(xiàn)這一點的唯一手段就是不計成本的研發(fā)投入。企業(yè)自身很難擁有這樣的格局和投資能力，只有政府力量才能發(fā)揮引導和領(lǐng)投作用。

當年的日本擁有“官產(chǎn)學”三位一體的力量攻關(guān)重點項目，韓國也曾依靠財閥和政府的互動關(guān)系屢屢進行技術(shù)沖關(guān)，而臺灣在“民進黨”上臺之后，卻盲目相信自由市場經(jīng)濟理論，再沒有這樣的“舉省體制”支持產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

一個典型案例就是金融危機時失敗的“DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案”。當時臺灣的六家DRAM廠商虧損嚴重，資本實力最為雄厚的南亞科技從2007年起連續(xù)巨虧六年，累計虧損達到1608.6億新臺幣（約49億美元），最慘的時候每股凈值只剩下0.09新臺幣。

為了應對危機，臺灣省政府成立了臺灣記憶體公司TMC，由聯(lián)電副董事長宣明智負責，對六家DRAM廠商進行控股整合。同時，TMC與爾必達和鎂光展開談判，期望共同合作推進自主技術(shù)的研發(fā)。

彼時，在金融危機中陷入困境的爾必達非常愿意向臺灣人提供全部核心技術(shù)，以換取援助資金。但因為政府希望TMC是一家盡可能純粹的民營企業(yè)，因此并沒有主導這一項目，背后有著不同技術(shù)合作對象的六家臺灣DRAM廠商遲遲無法整合，和爾必達的談判推進緩慢。

與此同時，臺灣媒體也在煽風點火，“自由時報”就以《國發(fā)基金小心掉進大錢坑》為標題，宣稱TMC是個錢坑，DRAM產(chǎn)業(yè)面臨產(chǎn)能過剩、流血競爭等，不適合政府用納稅人的錢參與其中。

2009年10月，“DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案”在臺灣省立法院審議時遭到否決，國發(fā)基金被禁止投資TMC公司，臺灣省DRAM產(chǎn)業(yè)整合計劃宣告失敗。而此時，全球DRAM行業(yè)已經(jīng)開始出現(xiàn)回暖，爾必達也不再尋求向臺灣轉(zhuǎn)讓核心技術(shù)。

曾經(jīng)放在臺灣半導體人面前短暫的發(fā)展窗口就這樣關(guān)閉了。臺灣DRAM行業(yè)從此一蹶不振，并在2015年鎂光收購華亞科技后徹底消失。

第二，由于“民進黨政府”的錯誤選擇，臺灣放棄了大陸市場的戰(zhàn)略縱深。

日本在半導體核心技術(shù)的發(fā)展期擁有本土和美國的廣闊市場，而韓國先有美國開放市場，后又深入中國市場。臺灣則背道而馳，在民進黨上臺后“拒絕西進大陸”。

這一充滿政治意味的選擇，也是臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)在2008年金融危機時被血洗后無力回天，而韓國的海力士由于無錫工廠的投產(chǎn)和中國市場的旺盛需求，僅僅用了一年時間就扭虧為盈的關(guān)鍵原因。

企業(yè)投入：自主還是代工？

說到臺灣的半導體產(chǎn)業(yè)，不得不提的霸主就是臺積電。然而正是臺積電的成功，讓臺灣的半導體行業(yè)全面轉(zhuǎn)向更“短平快”獲取利潤的代工模式，失去了研發(fā)核心技術(shù)的可能性。

其實臺積電的代工基因從一誕生便已注定。

1985年8月，德州儀器的資深副總裁張忠謀辭去工作，回到臺灣出任工研院負責人。張忠謀提出了設(shè)立專業(yè)芯片代工廠的設(shè)想，為那些沒有晶圓廠的半導體設(shè)計公司提供代工生產(chǎn)。恰巧此時，荷蘭飛利浦公司也希望在臺灣設(shè)立晶圓廠，兩者一拍即合。1987年，臺灣積體電路制造公司（TSMC）作為晶圓代工廠孕育而生。

在此之后，臺積電便如巨獸般不斷吞食擁有技術(shù)研發(fā)意愿，卻因為行業(yè)周期虧損而被拋棄的同行們。

1989年，臺灣宏碁電腦（占股74%）與美國德州儀器（占股26%）合資設(shè)立德碁半導體，這是臺灣第一家專業(yè)的DRAM生產(chǎn)廠。然而受到景氣周期影響，在亞洲金融危機期間德碁累計虧損超過50億新臺幣。此時，美國德州儀器終于不堪忍受，將DRAM業(yè)務甩賣給了鎂光。德碁失去了技術(shù)來源后，1999年被宏碁高價出售給了臺積電，隨后被臺積電改造成了晶圓代工廠。

1994年，臺灣省經(jīng)濟部在新竹園區(qū)投資180億新臺幣（5億多美元），創(chuàng)辦世界先進積體電路股份有限公司（簡稱世界先進），以DRAM芯片為主攻業(yè)務，建成了臺灣第一座8英寸晶圓廠。然而由于投資規(guī)模太小，產(chǎn)能微不足道，世界先進根本無力與韓國三星、日本NEC等巨無霸進行同場廝殺，成立十年中僅盈利過兩年，到2003年已經(jīng)累計虧損達194.12億新臺幣，被迫退出了DRAM生產(chǎn)。隨后在持股30%的臺積電主導下，世界先進也轉(zhuǎn)型成了晶圓代工廠。

世界先進曾是臺灣唯一一家能夠進行DRAM產(chǎn)業(yè)技術(shù)研發(fā)的企業(yè)。通過對世界先進，以及之后的力晶、世大等收購整合，臺積電成為全球半導體代工之王的同時，也消滅了臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)獨立自主開發(fā)的能力。

除了讓臺積電“背鍋”之外，沒有自主的核心技術(shù)體系也是臺灣半導體產(chǎn)業(yè)投資不足的原因。無論是日韓還是美國，DRAM巨頭們的研發(fā)費用平均占到營收的15-20%，而臺灣企業(yè)的研發(fā)費用比例僅為6%。這是因為每年臺灣半導體企業(yè)要向美日歐支付超過200億元新臺幣以上（6億美金）的技術(shù)授權(quán)費用，再加上巨額的進口設(shè)備投資，使得臺灣企業(yè)根本無力再投入巨資進行先進技術(shù)的研發(fā)。

總結(jié)

縱觀幾十年來日韓和中國臺灣在半導體產(chǎn)業(yè)的搏殺史，我們可以嘗試著得出幾個結(jié)論：

1、半導體芯片這個行業(yè)，與其說是企業(yè)之間的拼殺，不如說是國力的比拼。與其他市場化競爭的行業(yè)不同，半導體產(chǎn)業(yè)需要持續(xù)不斷巨額投入的同時，行業(yè)自身卻有著極強的周期性，這使得純粹以市場規(guī)律運行的商業(yè)公司難以憑借一己之力存活下去。

美國依靠軍用轉(zhuǎn)民用的道路和先發(fā)優(yōu)勢屹立不倒，日本曾經(jīng)靠“官產(chǎn)學”三位一體的集團軍作戰(zhàn)方式獨占鰲頭，而韓國則是憑借國家的投入和三星財閥獨特的集權(quán)式管理殺出一條血路。

反觀臺灣，雖有美國不遺余力的技術(shù)支持和一代代精英人才的不懈努力，卻因為缺乏政府主導，也沒有志在高遠的巨無霸企業(yè)，導致在全球半導體，尤其是DRAM產(chǎn)業(yè)中只能如流星劃過。

2、如果說政府投入是半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵驅(qū)動力，那么擁有自主的核心技術(shù)體系就是產(chǎn)業(yè)賴以生存的靈魂。如果日本不是在七十年代末以舉國之力和巨額資金完成了“VLSI”項目從而一舉獲得了獨立自主的核心技術(shù)，如果韓國不是在八九十年代憑借三星財閥拼命三郎般的投資風格得以擺脫對美國技術(shù)轉(zhuǎn)移的依賴，如果日韓政府不是高屋建瓴的培育產(chǎn)業(yè)鏈，包括打造上游的核心設(shè)備和原材料行業(yè)，那么他們總會在某次的行業(yè)低潮周期被他國一舉擊敗不得翻身，一如金融危機時的臺灣。

3、如果說技術(shù)這個產(chǎn)業(yè)靈魂還能靠不計成本的資金投入，以及學校實驗室、政府研究所的外部支援快速追趕，那么真正要在商業(yè)領(lǐng)域要和競爭對手進行白刃戰(zhàn)，量產(chǎn)工藝是必須要解決的難題，而這就只能憑借時間積累或者技術(shù)轉(zhuǎn)移方能完成。

良品率的改善很難依靠某個天才的發(fā)明解決，工藝水平的提高要建立在無數(shù)個失敗的生產(chǎn)批次之上，而這一切都需要企業(yè)拋開短期的浮躁和盈利沖動，著眼大局和未來方可達成。這無疑需要政府在背后的大力支持，甚至需要一些“委曲求全”去換取他人已有的經(jīng)驗教訓。

小不忍則亂大謀，這是深諳此道的日韓能夠在這一產(chǎn)業(yè)崛起的原因，也是中國半導體產(chǎn)業(yè)想要走向輝煌的關(guān)鍵。

（編輯：林淼）