人工智能需求推動,疊加過去兩年資本支出不足,內(nèi)存市場正迎來前所未有的“超級周期”。
摩根士丹利在周四的報告中指出,存儲將出現(xiàn)“前所未有”的供需失衡,內(nèi)存的價格也水漲船高:
人工智能的快速發(fā)展將導(dǎo)致DRAM和HBM的供需失衡,預(yù)計2025年HBM的供應(yīng)不足率為-11%,整個DRAM市場的供應(yīng)不足率為-23%。特別是HBM的需求量將大幅增加,可能占總DRAM供應(yīng)的30%。
由于DRAM供應(yīng)不足,加之過去兩年的資本支出不足,沒有新的晶圓廠或大規(guī)模晶圓可用,這將為內(nèi)存市場超級周期提供了動力。
內(nèi)存的價格也將水漲船高,預(yù)計商品存儲產(chǎn)品的價格將在2024年每季度以兩位數(shù)速度上漲,2025年HBM的價格將更高,服務(wù)器DRAM和超高密度QLC固態(tài)硬盤將引領(lǐng)價格上漲。
進一步來看,在內(nèi)存市場中的戰(zhàn)略地位的公司SK海力士和三星市場份額將進一步增長:
將內(nèi)存行業(yè)2024-25年的每股收益預(yù)測提高了24-82%,較最新的預(yù)期共識高出51-54%;
其中,SK海力士將獨占鰲頭,我們認為市場共識對其市場份額增長潛力低估了。預(yù)計其在2025年將占據(jù)HBM市場的最大份額,利潤率也將大幅提高。
這個存儲周期有所不同
大摩指出,從歷史來看,內(nèi)存市場周期性明顯,周期整體路徑相似。一般是資本投資周期較長,擴展產(chǎn)能需要2-3個季度,而新工廠建設(shè)需要2-3年。
內(nèi)存行業(yè)通常每兩年會出現(xiàn)一次短暫的供需平衡,這種周期性是由半導(dǎo)體制造業(yè)的長期資本投資周期驅(qū)動的,產(chǎn)能擴張周期中產(chǎn)能的擴張通常需要2-3個季度,而新晶圓廠的建設(shè)和投產(chǎn)則需要2-3年。
上行周期原因多樣,包括互聯(lián)網(wǎng)、云計算、新冠病毒和人工智能等,這些因素使得公司將周期視為新現(xiàn)象,但新的產(chǎn)能往往在行業(yè)最不需要的時候上線。
但這個周期有所不同,大摩指出:
與過去相比,當前周期中行業(yè)的資本支出遠低于維持產(chǎn)能所需的水平,自2022年第三季度以來產(chǎn)能一直在下降。
這種投資的缺乏正發(fā)生在內(nèi)存供應(yīng)鏈迅速轉(zhuǎn)移到HBM的之際,HBM每比特所需的晶圓容量是普通DRAM的兩倍,其生產(chǎn)良率也較低。
大摩預(yù)計,到2025年,HBM市場份額占比將增長,整體市場供應(yīng)不足將更明顯:
預(yù)計到2025年,HBM總可尋址市場(TAM)預(yù)計將顯著增長,從2025年的370億美元增長到2027年的700億美元,市場份額將占整個DRAM市場的30%以上,混合價格將上漲10%以上。
從2025年開始,智能手機和個人電腦的人工智能升級周期可能需要額外的內(nèi)存產(chǎn)能,預(yù)計市場屆時將面臨嚴重的供應(yīng)短缺,HBM的供應(yīng)不足率為-11%,整個DRAM市場的供應(yīng)不足率為-23%。
價格方面,SK海力士和三星電子都在積極擴展HBM和DRAM的生產(chǎn)能力,預(yù)計2024年第二季度DRAM合同價格將環(huán)比上漲13-18%,第三季度可能上漲10-15%。摩根士丹利表示:
給予收益預(yù)測和價格目標變化,我們將DRAM和NAND的第三季度定價展望分別上調(diào)至13%和20%,而之前的預(yù)測為DRAM 8%和NAND 10%。客戶行為發(fā)生了變化,確保供應(yīng)越來越多地優(yōu)先于定價,來自中國的訂單智能手機oem應(yīng)該會繼續(xù)上升到第三季度,PC ODM/ oem將繼續(xù)確保內(nèi)存供應(yīng),同時為某些大型PC oem保持接近20周的庫存。行業(yè)產(chǎn)量仍低于需求,減產(chǎn)仍在繼續(xù),而需求環(huán)境的改善也為24年下半年的價格前景帶來了更大的確定性。
行業(yè)龍頭公司市場份額將進一步增長
AI驅(qū)動的內(nèi)存“超級周期”將為行業(yè)戰(zhàn)略地位的公司:SK海力士和三星電子帶來份額的增長。
大摩將SK海力士目標價提高11%至30萬韓元,較目前有約30%的上漲空間,其預(yù)計海力士2024年和2025年的每股收益將比市場預(yù)期高出59%,海力士2024年第三季度的業(yè)績指引將會更高。
大摩將三星電子目標價提高至10.5萬韓元,較目前有36%上漲空間,并指出三星電子獲得英偉達的資格在2025年將至關(guān)重要。對三星來說,最好的結(jié)果是明年獲得HBM3E資格,以避免GPU需求出現(xiàn)任何供應(yīng)中斷。最糟糕的情況是,三星可能需要將超過50億Gb的HBM晶圓產(chǎn)能轉(zhuǎn)向商品DRAM市場。如果三星的HBM晶圓產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DRAM,這可能會對DRAM市場供應(yīng)產(chǎn)生顯著影響,增加供應(yīng)增長。
本文轉(zhuǎn)載自“華爾街見聞”,智通財經(jīng)編輯:李佛。