智通財經(jīng)APP獲悉,美國商務(wù)部已與美光(MU.US)達(dá)成初步協(xié)議,根據(jù)《芯片與科學(xué)法案》向后者提供高達(dá)61.4億美元的直接資金。
這筆撥款將支持在紐約州克萊(Clay)建設(shè)兩家晶圓廠,在愛達(dá)荷州博伊西(Boise)建設(shè)一家晶圓廠,到2030年將釋放約500億美元的私人投資,這是美光未來20年在這兩個州投資高達(dá)1250億美元的第一步,以建立一個領(lǐng)先的內(nèi)存制造生態(tài)系統(tǒng)。
在紐約克萊,這筆資金將支持計劃中的四個晶圓廠的前兩個晶圓廠的建設(shè),這些晶圓廠專注于前沿(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)芯片生產(chǎn)。每個工廠將有60萬平方英尺。4英尺的潔凈室,總面積240萬平方英尺。這是美國有史以來宣布的最大的潔凈室空間
這筆資金還將支持在愛達(dá)荷州博伊西的一家大批量制造(HVM)工廠的發(fā)展。該設(shè)施與公司現(xiàn)有的先進(jìn)研發(fā)基地位于同一位置,面積約為60萬平方英尺。一英尺的潔凈室空間專注于生產(chǎn)領(lǐng)先的DRAM芯片。
美光計劃的芯片制造工廠預(yù)計將在未來20多年里創(chuàng)造約7.5萬個國內(nèi)就業(yè)崗位。
美國總統(tǒng)拜登今天將前往紐約錫拉丘茲宣布這筆撥款。今天的公告標(biāo)志著根據(jù)530億美元的《芯片與科學(xué)法案》批準(zhǔn)的第七份初步合同,該法案旨在促進(jìn)美國的芯片生產(chǎn)
英特爾(INTC.US)獲得了迄今為止最大的撥款,從該法案中獲得85億美元,其次是臺積電(TSM.US),獲得66億美元,三星獲得64億美元。