申萬(wàn)宏源:先進(jìn)封裝催化不斷 相關(guān)設(shè)備持續(xù)受益

伴隨技術(shù)進(jìn)步,直寫光刻逐步拓展應(yīng)用,申萬(wàn)宏源預(yù)計(jì)LDI曝光設(shè)備未來(lái)將持續(xù)向高端領(lǐng)域布局。

智通財(cái)經(jīng)APP獲悉,申萬(wàn)宏源發(fā)布研報(bào)稱,在先進(jìn)封裝中,光刻機(jī)主要應(yīng)用于倒裝(FC)的凸塊(bumping)制作、重分布層(RDL)、2.5D/3D封裝的硅通孔(TSV)、以及銅柱(CopperPillar)等。直寫光刻技術(shù)無(wú)需掩膜版,可直接將版圖信息轉(zhuǎn)移到涂有光刻膠的襯底上,主要應(yīng)用于FC、WLP和2.5D/3D等先進(jìn)封裝領(lǐng)域,具備自動(dòng)套刻、背部對(duì)準(zhǔn)、智能糾偏、WEE/WEP功能,在RDL、Bumping和TSV等制程工藝中相較傳統(tǒng)stepper優(yōu)勢(shì)明顯,有利于提升產(chǎn)品良率。伴隨技術(shù)進(jìn)步,直寫光刻逐步拓展應(yīng)用,預(yù)計(jì)LDI曝光設(shè)備未來(lái)將持續(xù)向高端領(lǐng)域布局。

事件:英偉達(dá)年度AI大會(huì)GTC 2024在3月18-21日舉行。本屆GTC大會(huì)的關(guān)注焦點(diǎn)包括下一代Blackwell GPU架構(gòu)及采用該架構(gòu)的新款B100 GPU。

Blackwell將進(jìn)一步提高AI加速計(jì)算能力,或采用chiplet設(shè)計(jì)

申萬(wàn)宏源指出,根據(jù)華爾街見聞,英偉達(dá)當(dāng)前占據(jù)90%以上的AI GPU芯片的市場(chǎng)份額,當(dāng)前產(chǎn)品H100、H200基于Hopper架構(gòu)打造,其最大的優(yōu)勢(shì)在于加速計(jì)算,可以負(fù)荷萬(wàn)億參數(shù)的AI大模型訓(xùn)練和擴(kuò)展至各類數(shù)據(jù)中心。而Blackwell架構(gòu)將在AI加速能力上進(jìn)一步提高,還具備高速內(nèi)存接口、經(jīng)過(guò)改良的光線追蹤技術(shù)和并行處理能力。華爾街見聞援引有關(guān)分析稱,B100將采用臺(tái)積電的3nm制程,而Blackwell GPU也會(huì)是英偉達(dá)第一款運(yùn)用小芯片(chiplet)設(shè)計(jì)的HPC/AI加速器,直接與AMD的InstinctMI300展開競(jìng)爭(zhēng)。

半導(dǎo)體封裝技術(shù)在材料端或有所進(jìn)展

申萬(wàn)宏源指出,根據(jù)澎湃新聞,2023年9月18日,英特爾宣布在用于下一代先進(jìn)封裝的玻璃基板開發(fā)方面取得重大突破。英特爾認(rèn)為,玻璃基板擁有卓越的機(jī)械、物理和光學(xué)性質(zhì),使該公司能夠構(gòu)建更高性能的多芯片SiP,實(shí)現(xiàn)更高的互連密度。

由于硅是一種半導(dǎo)體材料,硅基轉(zhuǎn)接板的TSV周圍載流子在電場(chǎng)或磁場(chǎng)作用下可以自由移動(dòng),對(duì)鄰近的電路或信號(hào)產(chǎn)生影響,影響芯片性能;而玻璃材料沒(méi)有自由移動(dòng)的電荷,以玻璃替代硅材料的玻璃通孔(ThroughGlassVia,TGV)技術(shù)可以避免TSV的問(wèn)題,是理想的三維集成解決方案,且TGV技術(shù)無(wú)需制作絕緣層,降低了工藝復(fù)雜度和加工成本。TGV技術(shù)可通過(guò)激光誘導(dǎo)蝕刻設(shè)備實(shí)現(xiàn),目前國(guó)內(nèi)大族激光、帝爾激光、德龍激光已有相關(guān)產(chǎn)品覆蓋,其中帝爾激光已于2022年3月實(shí)現(xiàn)首臺(tái)TGV激光微孔設(shè)備出貨。

推薦標(biāo)的:推薦芯碁微裝(688630.SH)(先進(jìn)封裝直寫光刻機(jī))、建議關(guān)注:華峰測(cè)控(688200.SH)、長(zhǎng)川科技(300604.SZ)、盛美上海(688082.SH)。

風(fēng)險(xiǎn)提示:市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇風(fēng)險(xiǎn)、新品研發(fā)不及預(yù)期、原材料采購(gòu)的風(fēng)險(xiǎn)。

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