信達(dá)證券：HBM3E量產(chǎn)在即 關(guān)注國產(chǎn)HBM突破和產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)芤?/h1>
作者：
智通財(cái)經(jīng) 張計(jì)偉
2024-03-11 14:24:11
近日，美光宣布已開始量產(chǎn)其HBM3E高帶寬內(nèi)存解決方案。
智通財(cái)經(jīng)APP獲悉，信達(dá)證券發(fā)布研究報(bào)告稱，近日，美光宣布已開始量產(chǎn)其HBM3E高帶寬內(nèi)存解決方案。英偉達(dá)H200TensorCoreGPU將采用美光8層堆疊的24GB容量HBM3E內(nèi)存，并于2024年第二季度開始出貨。該行認(rèn)為受益于AI算力需求的強(qiáng)勁推動，HBM或?qū)⒊蔀榇鎯π酒袌鰪?fù)蘇的主要驅(qū)動力，同時國內(nèi)存儲廠商也加速產(chǎn)品布局和技術(shù)突破，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈上下游的廠商有望加速受益。
建議關(guān)注：1)存儲：江波龍(301308.SZ)、德明利(001309.SZ)、兆易創(chuàng)新(603986.SH)等;2)先進(jìn)封裝：通富微電(002156.SZ)、長電科技(600584.SH)等;3)代理：香農(nóng)芯創(chuàng)(300475.SZ)等;(4)設(shè)備和材料：北方華創(chuàng)(002371.SZ)、中微公司(688012.SH)等。
信達(dá)證券觀點(diǎn)如下：
海外大廠HBM3E量產(chǎn)在即。
(1)近日，美光宣布已開始量產(chǎn)其HBM3E高帶寬內(nèi)存解決方案。英偉達(dá)H200TensorCoreGPU將采用美光8層堆疊的24GB容量HBM3E內(nèi)存，并于2024年第二季度開始出貨。美光HBM3E引腳速率超過9.2Gb/s，提供超過1.2TB/s的內(nèi)存帶寬。與HBM3相比，HBM3E將數(shù)據(jù)傳輸速率和峰值內(nèi)存帶寬提高了44%。(2)三星發(fā)布首款36GBHBM3E12HDRAM，目前為三星容量最大的HBM。三星HBM3E12H支持全天候最高帶寬達(dá)1280GB/s，產(chǎn)品容量也達(dá)到了36GB。相比三星8層堆疊的HBM38H，HBM3E12H在帶寬和容量上大幅提升超過50%。相比HBM38H，HBM3E12H搭載于人工智能應(yīng)用后，公司預(yù)計(jì)人工智能訓(xùn)練平均速度可提升34%，同時推理服務(wù)用戶數(shù)量也可增加超過11.5倍。(3)SK海力士于1月中旬正式結(jié)束了HBM3E的開發(fā)工作，并順利完成英偉達(dá)歷時半年的性能評估，計(jì)劃于3月開始大規(guī)模生產(chǎn)HBM3E產(chǎn)品，這批HBM3E將用于英偉達(dá)下一代Blackwell系列的AI芯片旗艦產(chǎn)品B100上，而英偉達(dá)則計(jì)劃于2024年第二季度末或第三季度初推出該系列產(chǎn)品。
國內(nèi)存儲廠商入局HBM市場。
根據(jù)采招網(wǎng)，近日，武漢新芯發(fā)布《高帶寬存儲芯粒先進(jìn)封裝技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)線建設(shè)》招標(biāo)項(xiàng)目，利用三維集成多晶圓堆疊技術(shù)，打造更高容量、更大帶寬、更小功耗和更高生產(chǎn)效率的國產(chǎn)高帶寬存儲器(HBM)產(chǎn)品，推進(jìn)多晶圓堆疊工藝產(chǎn)業(yè)化，新增生產(chǎn)設(shè)備約17臺/套，擬實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)出能力≥3000片(12英寸)。該行認(rèn)為，國內(nèi)存儲廠商在HBM技術(shù)上的加速突破，有望在AI大浪潮的需求下提升競爭實(shí)力，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈也或?qū)⑹芤妗?/p>
AI浪潮驅(qū)動，HBM先進(jìn)封裝、設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)持續(xù)受益。
HBM制造工藝包括TSV、Bumping和堆疊等工藝環(huán)節(jié)。HBM是由多個DRAMdie堆疊而成，利用硅通孔(TSV)和微凸塊(Microbump)將die之間相連接，多層DRAMdie再與最下層的Basedie連接，然后通過凸塊(Bump)與硅中階層(interposer)互聯(lián)。HBM與GPU、CPU或ASIC共同鋪設(shè)在硅中階層上，通過CoWoS等2.5D封裝工藝相互連接，硅中介層通過CuBump連接至封裝基板(PackageSubstrate)上，最后封裝基板再通過錫球與下方的PCB基板相連。根據(jù)全球半導(dǎo)體觀察，目前HBM存儲芯片的整體良率在65%左右，HBM良率的高低主要受到其堆疊架構(gòu)復(fù)雜性的影響，這涉及到多層次的內(nèi)存結(jié)構(gòu)和作為各層連接之用的直通TSV技術(shù)。這些復(fù)雜技術(shù)增加了制程缺陷的風(fēng)險(xiǎn)，可能導(dǎo)致良率低于設(shè)計(jì)較簡單的內(nèi)存產(chǎn)品。因此存儲大廠紛紛加碼HBM先進(jìn)封裝，提升HBM良率并降低功耗。此外，根據(jù)CFM，SK海力士擬將新一代HBM4堆棧直接放置在處理器上，通過3D堆疊的形式進(jìn)一步提高I/O數(shù)量。
風(fēng)險(xiǎn)因素：下游需求不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn);國內(nèi)技術(shù)研發(fā)不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn);中美貿(mào)易摩擦加劇風(fēng)險(xiǎn)。
智通聲明：本內(nèi)容為作者獨(dú)立觀點(diǎn)，不代表智通財(cái)經(jīng)立場。未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載，文中內(nèi)容僅供參考，不作為實(shí)際操作建議，交易風(fēng)險(xiǎn)自擔(dān)。更多最新最全港美股資訊，請點(diǎn)擊下載智通財(cái)經(jīng)App
相關(guān)閱讀
信達(dá)證券：近期A股逼空式上漲 反彈升級為反轉(zhuǎn)的概率很高
2024-03-11 11:03
張計(jì)偉
國信證券半導(dǎo)體業(yè)3月策略：消費(fèi)電子芯片高景氣持續(xù) 存儲周期強(qiáng)勢上行
2024-03-07 14:43
張計(jì)偉
華金證券：政府工作報(bào)告首提“人工智能+” AI技術(shù)快速演進(jìn)驅(qū)動算力需求空間巨大
2024-03-07 14:06
張計(jì)偉
中泰證券：國產(chǎn)算力0-1突破 重視產(chǎn)業(yè)鏈歷史機(jī)遇
2024-03-06 15:08
張計(jì)偉
東吳證券：存儲產(chǎn)品價格持續(xù)上漲 有望打開量價齊升局面
2024-03-05 13:54
張計(jì)偉
智通財(cái)經(jīng)APP獲悉，信達(dá)證券發(fā)布研究報(bào)告稱，近日，美光宣布已開始量產(chǎn)其HBM3E高帶寬內(nèi)存解決方案。英偉達(dá)H200TensorCoreGPU將采用美光8層堆疊的24GB容量HBM3E內(nèi)存，并于2024年第二季度開始出貨。該行認(rèn)為受益于AI算力需求的強(qiáng)勁推動，HBM或?qū)⒊蔀榇鎯π酒袌鰪?fù)蘇的主要驅(qū)動力，同時國內(nèi)存儲廠商也加速產(chǎn)品布局和技術(shù)突破，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈上下游的廠商有望加速受益。
建議關(guān)注：1)存儲：江波龍(301308.SZ)、德明利(001309.SZ)、兆易創(chuàng)新(603986.SH)等;2)先進(jìn)封裝：通富微電(002156.SZ)、長電科技(600584.SH)等;3)代理：香農(nóng)芯創(chuàng)(300475.SZ)等;(4)設(shè)備和材料：北方華創(chuàng)(002371.SZ)、中微公司(688012.SH)等。
信達(dá)證券觀點(diǎn)如下：
海外大廠HBM3E量產(chǎn)在即。
(1)近日，美光宣布已開始量產(chǎn)其HBM3E高帶寬內(nèi)存解決方案。英偉達(dá)H200TensorCoreGPU將采用美光8層堆疊的24GB容量HBM3E內(nèi)存，并于2024年第二季度開始出貨。美光HBM3E引腳速率超過9.2Gb/s，提供超過1.2TB/s的內(nèi)存帶寬。與HBM3相比，HBM3E將數(shù)據(jù)傳輸速率和峰值內(nèi)存帶寬提高了44%。(2)三星發(fā)布首款36GBHBM3E12HDRAM，目前為三星容量最大的HBM。三星HBM3E12H支持全天候最高帶寬達(dá)1280GB/s，產(chǎn)品容量也達(dá)到了36GB。相比三星8層堆疊的HBM38H，HBM3E12H在帶寬和容量上大幅提升超過50%。相比HBM38H，HBM3E12H搭載于人工智能應(yīng)用后，公司預(yù)計(jì)人工智能訓(xùn)練平均速度可提升34%，同時推理服務(wù)用戶數(shù)量也可增加超過11.5倍。(3)SK海力士于1月中旬正式結(jié)束了HBM3E的開發(fā)工作，并順利完成英偉達(dá)歷時半年的性能評估，計(jì)劃于3月開始大規(guī)模生產(chǎn)HBM3E產(chǎn)品，這批HBM3E將用于英偉達(dá)下一代Blackwell系列的AI芯片旗艦產(chǎn)品B100上，而英偉達(dá)則計(jì)劃于2024年第二季度末或第三季度初推出該系列產(chǎn)品。
國內(nèi)存儲廠商入局HBM市場。
根據(jù)采招網(wǎng)，近日，武漢新芯發(fā)布《高帶寬存儲芯粒先進(jìn)封裝技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)線建設(shè)》招標(biāo)項(xiàng)目，利用三維集成多晶圓堆疊技術(shù)，打造更高容量、更大帶寬、更小功耗和更高生產(chǎn)效率的國產(chǎn)高帶寬存儲器(HBM)產(chǎn)品，推進(jìn)多晶圓堆疊工藝產(chǎn)業(yè)化，新增生產(chǎn)設(shè)備約17臺/套，擬實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)出能力≥3000片(12英寸)。該行認(rèn)為，國內(nèi)存儲廠商在HBM技術(shù)上的加速突破，有望在AI大浪潮的需求下提升競爭實(shí)力，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈也或?qū)⑹芤妗?/p>
AI浪潮驅(qū)動，HBM先進(jìn)封裝、設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)持續(xù)受益。
HBM制造工藝包括TSV、Bumping和堆疊等工藝環(huán)節(jié)。HBM是由多個DRAMdie堆疊而成，利用硅通孔(TSV)和微凸塊(Microbump)將die之間相連接，多層DRAMdie再與最下層的Basedie連接，然后通過凸塊(Bump)與硅中階層(interposer)互聯(lián)。HBM與GPU、CPU或ASIC共同鋪設(shè)在硅中階層上，通過CoWoS等2.5D封裝工藝相互連接，硅中介層通過CuBump連接至封裝基板(PackageSubstrate)上，最后封裝基板再通過錫球與下方的PCB基板相連。根據(jù)全球半導(dǎo)體觀察，目前HBM存儲芯片的整體良率在65%左右，HBM良率的高低主要受到其堆疊架構(gòu)復(fù)雜性的影響，這涉及到多層次的內(nèi)存結(jié)構(gòu)和作為各層連接之用的直通TSV技術(shù)。這些復(fù)雜技術(shù)增加了制程缺陷的風(fēng)險(xiǎn)，可能導(dǎo)致良率低于設(shè)計(jì)較簡單的內(nèi)存產(chǎn)品。因此存儲大廠紛紛加碼HBM先進(jìn)封裝，提升HBM良率并降低功耗。此外，根據(jù)CFM，SK海力士擬將新一代HBM4堆棧直接放置在處理器上，通過3D堆疊的形式進(jìn)一步提高I/O數(shù)量。
風(fēng)險(xiǎn)因素：下游需求不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn);國內(nèi)技術(shù)研發(fā)不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn);中美貿(mào)易摩擦加劇風(fēng)險(xiǎn)。
掃碼下載智通APP