加注AI SK海力士計劃將HBM產(chǎn)能增加一倍以上

消息顯示，韓國半導體制造商SK海力士(SK hynix Inc.)將擴大其高帶寬內(nèi)存(High Bandwidth Memory)生產(chǎn)設(shè)施投資，以應(yīng)對高性能AI產(chǎn)品需求的增加。該公司計劃，對通過硅通孔(TSV)相關(guān)的設(shè)施投資將比2023年增加一倍以上，力圖將產(chǎn)能翻倍，并計劃在2024年上半年開始生產(chǎn)其第五代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品HBM3E。

SK海力士財報顯示，該公司第四財季實現(xiàn)了1131萬億韓元(約84.6億美元)的營收和3460億韓元(約2.59億美元)的運營利潤，這標志著該公司連續(xù)五個季度營業(yè)虧損后再度轉(zhuǎn)為盈利。

SK海力士扭虧為盈主要歸因于HBM3(High Bandwidth Memory 3)和DDR5(Double Data Rate 5)的強勁銷售。與上一年相比，SK海力士在2023年的DDR5和HBM3銷售額分別增加了四倍和五倍以上。為了繼續(xù)這一上升趨勢，SK海力士計劃開始大規(guī)模生產(chǎn)人工智能芯片HBM3E，并加快第六代HBM4的開發(fā)。

“我們預計HBM3E產(chǎn)品在2024年將會有巨大的需求，計劃在年初開始大規(guī)模生產(chǎn)。我們打算根據(jù)這一需求將TSV產(chǎn)能翻倍，”公司在一次電話會議中表示。關(guān)于是否追加投資，公司還表達了更謹慎的立場，“要等經(jīng)過對長期需求、市場條件和供應(yīng)鏈狀況的慎重考慮后再做決定?！?/p>

SK海力士計劃準備生產(chǎn)MCRDIMM和LPCAMM2，前者是一種將多個DRAM集成到一個基板上的高容量服務(wù)器模塊，后者是一種基于低功耗(LP) DDR5X的高性能移動模塊，二者旨在滿足AI服務(wù)器需求和設(shè)備端AI市場。

在專注于生產(chǎn)高附加值產(chǎn)品的同時，SK海力士計劃將資本支出的增長最小化，強調(diào)穩(wěn)定的業(yè)務(wù)運營?！芭c上一年相比，我們將投資削減了一半以上，以應(yīng)對需求疲軟的情況。我們在2024年的策略是保持謹慎的態(tài)度，專注于確保增長和盈利的領(lǐng)域，同時避免增加投資導致進入供應(yīng)過剩的周期?！笔紫攧?wù)官金宇賢表示。

SK海力士解釋說，自從2023年第三季度以，該公司來一直保持謹慎的生產(chǎn)策略，包括減產(chǎn)，導致銷售超過了生產(chǎn)，隨后改善了庫存水平?！拔覀儗⒗^續(xù)保持謹慎的生產(chǎn)策略，直到2024年實現(xiàn)庫存正常化，同時預計DRAM的產(chǎn)量將在上半年保持穩(wěn)定，NAND閃存的產(chǎn)量將在下半年保持穩(wěn)定，”該公司表示。

分析師預計，該芯片制造商2024年的的運營利潤將10萬億韓元(約合88.5億美元)。還有分析師預計該公司2024年運營利潤將達到10.6萬億韓元(約合94.2億美元)，分析師認為，主要因為人工智能芯片需求預計將增加。

自2023年年初以來，SK海力士股價因其AI能力上漲近50%。

本文轉(zhuǎn)自華爾街見聞，作者：趙雨荷，智通財經(jīng)編輯：李程